[发明专利]芯片的导电结构无效
| 申请号： | 200810092277.6 | 申请日： | 2008-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101562161A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 黄祥铭;刘安鸿;李宜璋;蔡豪殷;何淑静 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 导电 结构 | ||
1.一种芯片的导电结构，其特征在于，包含：
一重新分布层，形成于所述芯片的一上方，其具有一第一导电区域及一第二导电区域，所述第一导电区域与所述芯片电性连接；
一凸块下金属层，形成于所述重新分布层的第二导电区域上，并与其电性连接；
一焊块，形成于所述凸块下金属层上，并与其电性连接；
其特征在于：所述芯片及所述重新分布层之间，另设有：
一接地层，形成于所述芯片上；以及
一介电层，覆盖所述接地层。
2.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述芯片包含多个焊盘及一第一保护层，所述多个焊盘至少包含一输入/输出焊盘及一接地焊盘，所述接地层形成于所述第一保护层上，并与所述接地焊盘电性连接。
3.如权利要求2所述的导电结构，其特征在于，所述重新分布层是覆盖于所述介电层上，并在所述第一导电区域与所述芯片的输入/输出焊盘电性连接。
4.如权利要求3所述的导电结构，其特征在于，还包含一第二保护层，覆盖所述重新分布层，并局部暴露所述第二导电区域。
5.如权利要求4所述的导电结构，其特征在于，所述介电层是由聚亚酰胺、苯环丁烯及SU-8光阻的其中之一所制成。
6.如权利要求5所述的导电结构，其特征在于，所述第二保护层与所述介电层具有实质上相同的一介电常数。
7.如权利要求6所述的导电结构，其特征在于，所述第二保护层是由聚亚酰胺、苯环丁烯及SU-8光阻的其中之一所制成。
8.如权利要求6所述的导电结构，其特征在于，所述介电层与所述第二保护层所形成的一厚度、所述重新分布层的一宽度、所述重新分布层的一厚度、及所述介电常数，是对应形成一关系，使所述导电结构在传送一高频信号时，所述重新分布层适可形成一阻抗匹配。
9.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述凸块下金属层为一无电解电镀层。
10.如权利要求9所述的导电结构，其特征在于，所述无电解电镀层是由镍及金所制成。
11.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述凸块下金属层为一溅镀层。
12.如权利要求2所述的导电结构，其特征在于，各所述焊盘是由铝及铜的其中之一所制成。
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