[发明专利]多晶粒模块化的封装结构及其封装方法无效

专利信息
申请号: 200810092254.5 申请日: 2008-04-17
公开(公告)号: CN101562168A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 陈石矶 申请(专利权)人: 陈石矶
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L25/00;H01L25/065;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 多晶 模块化 封装 结构 及其 方法
【权利要求书】:

1、一种具有多个模块化线路结构的载板,包含一正面及一背面,而位于该载板正面的该多个模块化线路结构中的每一该线路结构是由多条第一金属线来电性连接多个第一导电接点及多个金属端点,该载板的特征在于:

该多个金属端点经由该载板上的穿孔而相对地配置至该载板的一背面上,且位于该背面上的该多个金属端点通过多条第二金属线与多个第二导电接点电性连接。

2、一种多晶粒模块的封装结构,包含:一载板,该载板具有一正面及一背面,且该载板由多个模块化线路结构所组成,多个晶粒以包晶方式与每一该模块化线路结构电性连接,每一该晶粒具有一主动面且邻近于该主动面的一中央区域配置有多个焊垫,以一高分子材料层包覆该多个晶粒及部份该载板的该正面,其特征在于:

位于该载板正面的该多个模块化线路结构中的每一该线路结构是由多条第一金属线来电性连接多个第一导电接点及多个金属端点,且该多个金属端点经由该载板上的穿孔而相对地配置至该载板的该背面上,且位于该背面上的该多个金属端点通过多条第二金属线与多个第二导电接点电性连接,其中每一该晶粒的该主动面上的该多个焊垫电性连接于该些第一导电接点上且曝露出部份该金属端点。

3、根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,其中该多个晶粒是具有相同存储器容量的存储器晶粒。

4、根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,其中该多个晶粒是具有不同存储器容量的存储器晶粒。

5、一种晶粒封装结构,包含:一载板,该载板具有一正面及一背面,且该正面及该背面上配置有电性连接的模块化线路,一晶粒以包晶方式与该正面的模块化线路电性连接,每一该晶粒具有一主动面且邻近于该主动面的一中央区域配置有多个焊垫,以一高分子材料层包覆该晶粒及该载板,其特征在于:

位于该载板正面的该模块化线路是由多条第一金属线来电性连接多个第一导电接点及多个金属端点,且该多个金属端点经由该载板上的穿孔而相对地配置至该载板的该背面上,且位于该背面上的该多个金属端点通过多条第二金属线与多个第二导电接点电性连接,其中该晶粒的该主动面上的该多个焊垫电性连接于该些第一导电接点上且曝露出部份该金属端点。

6、一种多晶粒模块的封装结构,包含:一载板,该载板具有一正面及一背面,且该载板由多个模块化线路结构所组成,多个晶粒以包晶方式与每一该模块化线路结构电性连接,每一该晶粒具有一主动面且邻近于该主动面的一中央区域配置有多个焊垫,以一高分子材料层包覆该多个晶粒及该载板,其特征在于:

位于该载板正面的该多个模块化线路结构中的每一该线路结构是由多条第一金属线来电性连接多个第一导电接点及多个金属端点,且该多个金属端点经由该载板上的穿孔而相对地配置至该载板的一背面上,且位于该背面上的该多个金属端点通过多条第二金属线与多个第二导电接点电性连接,其中每一该晶粒的该主动面上的该多个焊垫电性连接于该些第一导电接点上且曝露出部份该金属端点。

7、一种多晶粒模块化的封装方法,其特征在于,包括:

提供一具有多个模块化线路结构的载板,该载板具有一正面及一背面,而位于该载板正面的该多个模块化线路结构中的每一该线路结构是由多条第一金属线来电性连接多个第一导电接点及多个金属端点;

提供多个晶粒,每一该晶粒具有一主动面,且于该主动面的接近中央区域上配置有多个焊垫;

置放该多个晶粒至该载板上,将每一该晶粒以包晶方式将该晶粒的该主动面上的该多个焊垫电性连接至该些第一导电接点上;

形成一封装体,是以一高分子材料层包覆该多个晶粒及该载板的该正面且曝露出该多个金属端点;及

切割该高分子材料层及该载板,以形成一多晶粒模块化的封装结构,且该多晶粒模块化的封装结构曝露出该多个金属端点;

其中具有该多个模块化线路结构的载板进一步包括该多个金属端点经由该载板上的穿孔而相对地配置至该载板的该背面上,且位于该背面上的该多个金属端点通过多条第二金属线与多个第二导电接点电性连接。

8、根据权利要求7所述的封装方法,其特征在于,其进一步包含在切割该高分子材料层之前执行一预烧步骤。

9、根据权利要求7所述的封装方法,其特征在于,其进一步包含在切割该高分子材料层之前执行一晶粒测试步骤。

10、根据权利要求9所述的封装方法,其特征在于,于完成该些晶粒的测试步骤后,进一步包括:

若有不合格的晶粒,则形成另一高分子材料层以包覆该载板的背面且曝露出该多个第二金属接点;

形成多个导电元件,于该多个第二导电接点之上;及

切割该高分子材料层、该载板及移除该多个金属端点,以形成多个各自独立完成封装的晶粒结构。

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