[发明专利]磁性传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810092230.X 申请日: 2008-04-17
公开(公告)号: CN101290343A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 相曾功吉 申请(专利权)人: 雅马哈株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 葛青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 磁性 传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种磁性传感器的制造方法,包括步骤:

形成顺序层叠在基板上的自由层、导电层和固定层以形成巨磁电阻元 件,其中第一磁性层、Ru层、第二磁性层和反铁磁层顺序层叠在所述导电 层上以形成所述固定层;以及

执行磁化热处理,用于施加磁场到所述固定层从而固定其磁化方向,其 中所述第一磁性层和所述第二磁性层被磁化,而且维持其磁化方向为反平行 磁化状态,

其中在所述磁化热处理期间施加到每个固定层的磁场强度范围从10mT 到200mT。

2.如权利要求1所述的磁性传感器的制造方法,其中所述固定层按照 所述第一磁性层与所述第二磁性层厚度不同的方式来形成。

3.如权利要求1所述的磁性传感器的制造方法,其中所述第一磁性层 的厚度大于所述第二磁性层的厚度。

4.如权利要求1所述的磁性传感器的制造方法,其中所述固定层按照 所述Ru层的厚度在至的范围的方式来形成。

5.如权利要求1所述的磁性传感器的制造方法,其中产生所述磁场的 磁体阵列置为邻近所述基板的背侧,所述基板的表面上布置有所述巨磁电阻 元件。

6.如权利要求1所述的磁性传感器的制造方法,其中灵敏度方向彼此 不同的第一巨磁电阻元件和第二巨磁电阻元件形成于所述基板上,在所述基 板上预先形成有平面表面和至少一个斜坡,使得所述第一巨磁电阻元件使用 所述平面表面来形成,且所述第二巨磁电阻元件使用所述至少一个斜坡来形 成。

7.如权利要求1所述的磁性传感器的制造方法,其中在所述磁化热处 理期间施加到每个固定层的磁场强度范围从20mT到80mT。

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