[发明专利]并行模式变换器和由其构成的光分路器有效
| 申请号： | 200810092207.0 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101320111A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李冰 | 申请（专利权）人： | 李冰 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/125;H04B10/12 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林虹;孙皓 |
| 地址： | 310000浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 并行 模式 变换器 构成 分路 | ||
1.一种并行模式变换器，在光平板波导上设有波导脊，其特征在于：所述光平板波导上分布有并行的多路波导脊，并行的多路波导脊之间，其各自对应的脊波导模式相互耦合，所述并行多路波导脊从输入端至输出端宽度逐渐变宽，构成渐变的多通道浅脊波导，所述多通道浅脊波导在输入端的超模式为单一光斑，并且光场主要分布在高位平板层，在输出端的超模式为多个分离光斑，并且光场在脊层和高位平板层都有分布；所述并行的多路波导脊呈平行分布或扇形分布。
2.根据权利要求1所述的并行模式变换器，其特征在于：所述并行多路波导脊的宽度和间距不均匀，其起点与入射光波前对齐或不对齐。
3.一种光分路器，以绝缘体上硅为基片，由入射耦合光波导、单通道模式变换器、横向自由传播区和并行模式变换器依次连接组成，所述入射耦合光波导的横截面结构为深刻蚀矩形脊波导，所述单通道模式变换器由硅平板(24)、深刻蚀形成深刻蚀波导脊(31)、浅刻蚀形成浅刻蚀波导脊(32)、及位于浅刻蚀波导脊(32)两侧的高位平板层(25)组成，浅刻蚀波导脊(32)的宽度沿纵向逐渐变窄，其特征在于：所述并行模式变换器的结构为在光平板波导上设有并行的多路波导脊，并行的多路波导脊之间，其各自对应的脊波导模式相互耦合，所述并行的多路波导脊的宽度由输入端至输出端逐渐变宽，构成渐变的多通道浅脊波导。
4.根据权利要求3所述的光分路器，其特征在于：所述并行多路波导脊呈平行分布或扇形分布。
5.根据权利要求4所述的光分路器，其特征在于：所述并行多路波导脊的起点与入射光波前对齐。
6.根据权利要求4所述的光分路器，其特征在于：所述并行多路波导脊的起点与入射光波前不对齐。
7.根据权利要求6所述的光分路器，其特征在于：所述单通道模式变换器横向自由传播区为浅刻蚀波导脊(32)被去掉之后的平板波导。
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