[发明专利]半导体装置及制造方法、使用该半导体装置的电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

使用由于基面位错导致的有叠层缺陷的宽间隙半导体的、在正向特性上具有内嵌电压的宽间隙双极半导体元件；

容纳所述宽间隙双极半导体元件，并具有用于把所述宽间隙双极半导体元件连接到外部装置上的电气连接部件的半导体封装；和

把所述半导体封装内的所述宽间隙双极半导体元件加热到大于等于50℃的发热部件。

2.用于权利要求1所述的半导体装置的操作方法，包括的步骤如下：

在给宽间隙双极半导体元件通电前将所述宽间隙双极半导体元件加热到50℃或高于50℃，小于200℃的第一温度。

所述通电开始后，以小于额定电流的外加电流操作所述宽间隙双极半导体元件直至所述宽间隙双极半导体元件温度达到大于等于200℃的第二温度，以及

当所述宽间隙双极半导体元件达到第二温度后，允许所述宽间隙双极半导体元件加以达到所述额定电流的电流。

3.权利要求2所述的半导体装置的操作方法，其特征在于，

开始通电后，所述宽间隙双极半导体元件的温度除了被所述宽间隙双极半导体元件自身发热提高外，还被所述发热部件提高。

4.采用有由于基面位错导致的有叠层缺陷和在正向特性上具有内嵌电压的宽间隙半导体的宽间隙双极半导体元件操作方法，包括的步骤如下：

通电开始时，以小于额定电流的外加电流操作所述宽间隙双极半导体元件直至所述宽间隙双极半导体元件温度达到大于等于200℃，以及

当所述宽间隙双极半导体元件达到大于等于所述200℃的温度后，允许所述宽间隙双极半导体元件加以达到所述额定电流的电流。