[发明专利]含噻唑环合成物、聚合物、有源层、晶体管、器件及制法

权利要求书

1.一种合成物，包含：

被隔离基D₁分开的两个噻唑环并且由下式1表示：

[式1]

其中R²是氢，羟基，直链、支链或环状的C_1-20烷基，C_1-20烷氧基烷基，或直链、支链或环状的C_1-16烷氧基；且D₁是C_2-20杂亚芳基或C_6-30亚芳基。

2.如权利要求1所述的合成物，其中该杂亚芳基是替有选自S、N-H、O和Se的一个或多个的5元杂亚芳基。

3.如权利要求1所述的合成物，其中该杂亚芳基和亚芳基被选自羟基，直链、支链或环状的C₁-C₂₀烷基，C₁-C₂₀烷氧基烷基，直链、支链或环状的C₁-C₁₆烷氧基，F，Br，Cl和I的一个或多个取代。

4.权利要求1的合成物，其中该杂亚芳基和亚芳基选自由下式2表示的化合物：

[式2]

其中X为S、N-H、O或Se。

5.一种有机半导体聚合物，包括：

权利要求1的合成物；以及

两个噻吩环和间隔基D₂，

该有机半导体聚合物由下式3表示：

[式3]

其中R¹是氢，羟基，直链、支链或环状的C₁-C₂₀烷基，C₁-C₂₀烷氧基烷基，或者直链、支链或环状的C₁-C₁₆烷氧基；D₂是C₂-C₂₀杂亚芳基或C₆-C₃₀亚芳基；x是2至6的整数；y是1至4的整数；z是0至4的整数；m是1至6的整数；并且n是4至100的整数。

6.如权利要求5所述的有机半导体聚合物，其中各R¹相同。

7.如权利要求5所述的有机半导体聚合物，其中各R¹彼此不同。

8.如权利要求5所述的有机半导体聚合物，其中D₁和D₂相同。

9.如权利要求5所述的有机半导体聚合物，其中D₁和D₂彼此不同。

10.如权利要求5所述的有机半导体聚合物，其中该杂亚芳基是替有选自S、N-H、O和Se的一个或多个的5元杂亚芳基。

11.如权利要求5所述的有机半导体聚合物，其中该杂亚芳基和亚芳基被选自羟基，直链、支链或环状的C₁-C₂₀烷基，C₁-C₂₀烷氧基烷基，直链、支链或环状的C₁-C₁₆烷氧基，F，Br，Cl和I的一个或多个取代。

12.如权利要求5所述的有机半导体聚合物，其中该杂亚芳基和亚芳基选自由下式2表示的化合物：

[式2]

其中X为S、N-H、O或Se。

13.如权利要求5所述的有机半导体聚合物，其中该有机半导体聚合物的数均分子量为约5,000至约100,000。

14.如权利要求13所述的有机半导体聚合物，其中该有机半导体聚合物的数均分子量为约10,000至约100,000。

15.一种有机有源层，其包括权利要求5所述的有机半导体聚合物。

16.如权利要求15所述的有机有源层，其中该有机有源层使用选自丝网印刷、印刷、旋涂、浸渍以及喷墨的方法形成。