[发明专利]薄膜硅光伏器件及其制造方法和背电极以及光伏组件

权利要求书

1.一种薄膜硅光伏器件，其具有层状结构，该层状结构依次包括：

基板；

透明导电的前电极；

一个或多个p-i-n型光伏单元，每个p-i-n型光伏单元由基于氢化硅的p型、本征i型和n型半导体薄膜组成；

背电极，

其特征在于，

所述背电极包含依次重叠的银膜和镍膜，所述银膜位于所述背电极的、与所述p-i-n型光伏单元相邻的一侧，并且所述镍膜由镍或镍含量高于60％的镍合金制成。

2.如权利要求1所述的薄膜硅光伏器件，其中，所述银膜与所述一个或多个p-i-n型光伏单元中与所述背电极相邻的一个p-i-n型光伏单元的n型半导体薄膜直接接触。

3.如权利要求1-2之一所述的薄膜硅光伏器件，其中，所述银膜具有介于20-40纳米之间的厚度，所述镍膜具有介于70-250纳米之间的厚度。

4.如权利要求1-2之一所述的薄膜硅光伏器件，其中，所述银膜具有介于25-30纳米之间的厚度，所述镍膜具有介于100-160纳米之间的厚度。

5.如权利要求1-4之一所述的薄膜硅光伏器件，其中，所述背电极还包括重叠在镍膜上的一个或多个厚度不超过200纳米的其它金属薄膜，所述其它金属包括铝、金、铂、铜、钒、铬、钛或者它们中的一种或多种的合金。

6.一种光伏组件，包括多个被串联或并联连接的如权利要求1-5之一所述的薄膜硅光伏器件。

7.一种制造薄膜硅光伏器件的方法，包括以下步骤：

将透明导电的前电极镀在基板上；

在前电极上沉积一个或多个p-i-n型光伏单元，每个p-i-n型光伏单元由基于氢化硅的p型、本征i型和n型半导体薄膜组成；

在最后沉积的一个p-i-n型光伏单元的n型半导体薄膜上沉积背电极，所述背电极包含重叠的银膜和镍膜，所述银膜位于所述背电极的、与所述最后沉积的一个p-i-n型光伏单元相邻的一侧，并且所述镍膜由镍或镍含量高于60％的镍合金制成。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述银膜被直接沉积在所述最后沉积的一个p-i-n型光伏单元的n型半导体薄膜上。

9.如权利要求7-8之一所述的方法，其中，所述银膜具有介于20-40纳米之间的厚度，所述镍膜具有介于70-250纳米之间的厚度。

10.如权利要求7-8之一所述的方法，其中，所述银膜具有介于25-30纳米之间的厚度，所述镍膜具有介于100-160纳米之间的厚度。

11.如权利要求7-10之一所述的方法，其中，在同一台薄膜沉积设备中，通过使用相应的材料来依序沉积所述银膜和镍膜。

12.如权利要求7-11之一所述的方法，其中，所述背电极还包括重叠在镍膜上的一个或多个厚度不超过200纳米的其它金属薄膜，所述其它金属包括铝、金、铂、铜、钒、铬、钛或者它们中的一种或多种的合金。

13.一种用于薄膜硅光伏器件的背电极，该背电极具有层状结构，该层状结构包括依次重叠的银膜和镍膜，并且所述镍膜由镍或镍含量高于60％的镍合金制成。

14.如权利要求13所述的背电极，其中，所述银膜具有介于20-40纳米之间的厚度，所述镍膜具有介于70-250纳米之间的厚度。

15.如权利要求13所述的背电极，其中，所述银膜具有介于25-30纳米之间的厚度，所述镍膜具有介于100-160纳米之间的厚度。