[发明专利]显示装置有效
申请号: | 200810091522.1 | 申请日: | 2008-04-15 |
公开(公告)号: | CN101290751A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 梶原久芳;万场则夫;宫泽敏夫;槙正博 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;H03K19/017 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,在绝缘衬底上设置有包含倒相电路的驱动电路,其特征在于:
所述倒相电路具有以多晶硅为半导体层的相同导电类型的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管、以及高电阻元件;
所述第一晶体管的第一端子连接在第一节点上,栅极端子连接在第二节点上,第二端子连接在第三节点上;
所述第二晶体管的第一端子连接在第五节点上,栅极端子连接在所述第三节点上,第二端子连接在第六节点上;
所述第三晶体管的第一端子连接在所述第一节点上,栅极端子连接在所述第二节点上,第二端子连接在所述第五节点上;
所述高电阻元件的第一端子连接在第四节点上,第二端子连接在所述第三节点上;
向所述第四节点和所述第一节点之间供给第一电源电压;
向所述第六节点和所述第一节点之间供给第二电源电压;
将输入时钟输入到所述第二节点,从所述第五节点输出相对于所述输入时钟倒相的输出时钟。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第一电源电压大于所述第二电源电压与所述第二晶体管的阈值电压之和。
3.一种显示装置,在绝缘衬底上设置有包含倒相电路的驱动电路,其特征在于:
所述倒相电路具有以多晶硅为半导体层的相同导电类型的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管、以及高电阻元件;
所述第一晶体管的第一端子连接在第一节点上,栅极端子连接在第二节点上,第二端子连接在第三节点上;
所述第二晶体管的第一端子连接在第五节点上,栅极端子连接在所述第三节点上,第二端子连接在第六节点上;
所述第三晶体管的第一端子连接在所述第一节点上,栅极端子连接在所述第二节点上,第二端子连接在所述第五节点上;
所述第四晶体管的第一端子连接在第七节点上,栅极端子连接在所述第五节点上,第二端子连接在第八节点上;
所述第五晶体管的第一端子连接在所述第一节点上,栅极端子连接在所述第二节点上,第二端子连接在所述第七节点上;
所述高电阻元件的第一端子连接在第四节点上,第二端子连接在所述第三节点上;
向所述第四节点和所述第一节点之间供给第一电源电压;
向所述第六节点和所述第一节点之间供给第二电源电压;
向所述第八节点和所述第一节点之间供给第三电源电压;
将输入时钟输入到所述第二节点,从所述第七节点输出相对于所述输入时钟倒相的输出时钟。
4.一种显示装置,在绝缘衬底上设置有包含倒相电路的驱动电路,其特征在于:
所述倒相电路具有以多晶硅为半导体层的相同导电类型的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管、以及高电阻元件和电容元件;
所述第一晶体管的第一端子连接在第一节点上,栅极端子连接在第二节点上,第二端子连接在第三节点上;
所述第二晶体管的第一端子连接在第五节点上,栅极端子连接在所述第三节点上,第二端子连接在第六节点上;
所述第三晶体管的第一端子连接在所述第一节点上,栅极端子连接在所述第二节点上,第二端子连接在所述第五节点上;
所述第四晶体管的第一端子连接在第七节点上,栅极端子连接在所述第五节点上,第二端子连接在所述第八节点上;
所述第五晶体管的第一端子连接在所述第一节点上,栅极端子连接在所述第二节点上,第二端子连接在所述第七节点上;
所述高电阻元件的第一端子连接在第四节点上,第二端子连接在所述第三节点上;
所述电容元件的第一端子连接在所述第七节点上,第二端子连接在所述第五节点上;
向所述第四节点和所述第一节点之间供给第一电源电压;
向所述第六节点和所述第一节点之间供给第二电源电压;
向所述第八节点和所述第一节点之间供给第三电源电压;
将输入时钟输入到所述第二节点,从所述第七节点输出相对于所述输入时钟倒相的输出时钟。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于:
所述第一电源电压、所述第二电源电压和所述第三电源电压彼此相等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立显示器,未经株式会社日立显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810091522.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防漏油中性笔芯
- 下一篇:钨酸镉闪烁单晶的坩埚下降法生长工艺