[发明专利]形成半导体结构的方法

权利要求书

1、一种形成半导体结构的方法，包括下列步骤：

形成牺牲层于基底上；

形成第一介电层于所述牺牲层上；

形成多个导电结构于所述牺牲层与所述第一介电层内；

施行第一表面处理程序以处理所述牺牲层并穿透所述第一介电层，以部分移除所述牺牲层并于所述多个导电结构中两个之间形成至少一个气隙；

施行第二表面处理程序以处理所述第一介电层的表面，以于形成所述气隙后于所述第一介电层上形成第二介电层；

形成第三介电层于所述第二介电层上；以及

形成至少一个第一开口于所述第三介电层内，其中所述第二介电层大体保护了所述第一介电层免于形成所述第一开口时受到毁损。

2、如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，还包括形成蚀刻停止层于所述第二介电层与所述第三介电层之间的步骤，其中所述第一开口形成并穿透所述蚀刻停止层。

3、如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中形成所述牺牲层的步骤包括形成含聚合物膜层或含多孔低介电常数膜层的步骤。

4、如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中形成所述第一介电层的步骤包括形成可渗透的硬掩模层的步骤。

5、如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中施行所述第二表面处理程序以处理所述第一介电层的表面的步骤包括将所述第一介电层的表面浸入于溶液中，所述溶液至少包括3[2(三甲氧基硅)乙基]砒啶、2(三甲氧基硅)乙苯、n-丙基三甲氧基硅烷与苯基三甲氧基硅烷其中之一。

6、如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中施行所述第二表面处理程序以处理所述第一介电层的表面的步骤包括将所述第一介电层的表面暴露于气体环境中，所述气体环境至少包括3[2(三甲氧基硅)乙基]砒啶、2(三甲氧基硅)乙苯、n-丙基三甲氧基硅烷与苯基三甲氧基硅烷其中之一。

7、如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中施行所述第二表面处理程序以处理了所述第一介电层的表面的步骤包括采用至少包括硅甲烷、氨气、氮气/氢气、二氧化碳、甲烷、氦气、氧气、氮气与氩气之一的前驱物以等离子体处理所述第一介电层的所述表面。

8、如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，还包括形成上盖层于所述导电结构上的步骤，其中所述第一开口形成穿透所述上盖层。

9、如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中施行所述第一表面处理程序以处理所述牺牲层并穿透所述第一介电层的步骤包括热处理或紫外光处理所述牺牲层。

10、如权利要求1所述的形成半导体结构的方法，其中形成至少所述第一开口于所述第三介电层内的步骤中至少部分露出所述第二介电层的顶面。

11、如权利要求1项所述的形成半导体结构的方法，其中形成所述多个导电结构的步骤包括：

形成多个第二开口，以露出所述第一介电层的一部分；

表面处理所述露出的第一介电层，以硬化所述第一介电层的处理部；以及

分别形成导电结构于所述多个第二开口内。

12、如权利要求11所述的形成半导体结构的方法，其中表面处理所述露出第一介电层的步骤包括紫外光处理或电子束照射。

13、如权利要求11所述的形成半导体结构的方法，其中所述第一介电层包括多孔感光材料。

14、一种形成半导体结构的方法，包括：

形成牺牲层于基底上；

形成可渗透的硬掩模层于所述牺牲层上；

形成多个导电结构于所述牺牲层与所述可渗透的硬掩模层内；

施行热处理或深紫外光处理，以至少部分移除所述硬掩模层并穿透所述可渗透的硬掩模层，以于所述多个导电结构中两个之间形成至少一个气隙；

施行第一表面处理程序，以表面处理所述可渗透的硬掩模层的表面并于形成所述气隙后于所述可渗透的硬掩模层上形成第一介电层；

形成第二介电层于所述第一介电层上；以及

形成至少一个开口于所述第二介电层内，其中所述第一介电层大体保护了所述可渗透的硬掩模层免于形成所述开口时受到毁损。