[发明专利]等离子体显示装置

说明书

技术领域

本发明的方面涉及一种等离子体显示装置。更具体地，本发明的方面涉及一种等离子体显示装置，其通过减少形成延迟时间而具有提高的放电稳定性。

背景技术

等离子体显示面板是显示装置，其通过在放电单元中气体放电产生的真空紫外线(VUV)激发荧光层而形成图像。

等离子体显示面板通过采用等离子体发射出的光显示文字和/或图片。通过将预定水平的电压施加到位于等离子体显示面板的放电空间中的两个电极以在两个电极之间引起等离子体放电并且通过等离子体放电产生的紫外线激发荧光层形成为预定图案，从而形成图像。(位于等离子体显示面板的放电空间中的两个电极在下文被称为“显示电极”。)

通常，等离子体显示面板包括覆盖两个显示电极的介电层以及在介电层上以保护介电层的保护层。保护层主要由MgO构成，MgO是透明的以允许可见光透过并对介电层表现出良好的保护能力，保护层还产生二次电子发射。然而，近来已经对替换和变更保护层中的MgO进行了研究。

MgO保护层具有抵抗溅射(sputtering resistance)特性并且保护介电层，该抵抗溅射特性在驱动等离子体显示装置时减轻放电过程中放电气体的离子碰撞。此外，MgO保护层的形式为透明保护薄膜，其通过发射二次电子降低放电电压。通常，MgO保护层以5000至9000的厚度涂敷在介电层上。

因此，MgO保护层的成分和膜特性显著影响放电特性。MgO保护层的膜特性显著依赖于沉积的成分和涂敷条件。期望开发最优的成分以提高膜特性。

期望通过提高响应速度而改进高分辨率等离子体显示面板(PDP)的放电稳定性。高分辨率等离子体显示面板应该响应快速扫描速度从而确立实施所有寻址的稳定放电。对快速扫描的响应速度由形成延迟时间(Tf)和统计延迟时间(Ts)来确定。

在背景技术部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本发明的背景技术的理解，因此它可包含不构成现有技术的信息，现有技术是本领域普通技术人员已知的技术。

发明内容

提供了一种等离子体显示装置，其由于减少的形成延迟时间而具有提高的放电稳定性。

依照本发明的一实施例，提供有一种等离子体显示装置，其包括：等离子体显示面板、驱动等离子体显示面板的驱动器以及将维持周期的维持脉冲宽度控制为1至3.5μs的控制器。该等离子体显示面板包括：设置在第一基板上的寻址电极、设置在第二基板上并与寻址电极交叉的一对第一和第二显示电极、在第二基板上覆盖第一和第二显示电极的介电层、在第二基板上覆盖介电层的MgO保护层、在第一和第二基板之间填充的放电气体。MgO保护层包括基于MgO的200至3000ppm重量份的Ca。

依照本发明一个方面，MgO保护层包括基于MgO的200至3000ppm重量份的Ca。依照非限制实例，MgO保护层包括基于MgO的250至1500ppm重量份的Ca。

依照非限制实例，MgO保护层中的Ca存在浓度梯度，Ca的浓度从MgO保护层的接触放电气体的表面到MgO保护层的另一表面增大。

依照非限制实例，MgO保护层包括基于MgO保护层的总重量的大于或等于99.7wt％的MgO。依照另一非限制实例，MgO保护层包括基于MgO保护层的总重量的范围在99.7至99.9wt％的MgO。

维持脉冲宽度为1至3.5μs。依照非限制实例，维持脉冲宽度为1至3.0μs。

维持周期为9至25μs。依照非限制实例，维持周期可以是10至25μs。

维持周期的第一维持脉冲宽度为2至7.5μs。依照非限制实例，维持周期的第一维持脉冲宽度在2至7μs范围内。

放电气体包括基于100体积份Ne的5至30体积份Xe。依照非限制实例，放电气体还包括基于100体积份Ne的0至70体积份的选自He、Ar、Kr、O₂、N₂及其组合的组中至少一种气体。

依照本发明另一实施例，提供了一种等离子体显示面板，包括设置在基板上的至少一对第一和第二显示电极；覆盖至少一对第一和第二显示电极的介电层；和覆盖介电层的MgO保护层，MgO保护层包括基于MgO的含量的200至3000ppm重量份的Ca。

本发明的其它方面和/或优点将在后面的描述中得到部分地阐述，且部分地将由这些描述而明显，或者可以通过实践本发明而习知。

附图说明

结合附图由实施例的以下描述，本发明的这些和其它方面和优点将变得明显易懂，在附图中：