[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池

权利要求书

1.一种单晶硅太阳能电池的制造方法，是用以制造出至少层积有金属基板、作为光变换层的单晶硅层、以及透明保护膜，并以上述透明保护膜侧作为受光面的单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于，至少包含：

准备金属基板与第一导电型的单晶硅基板的工序；

将氢离子或稀有气体离子的至少其中一种，注入上述单晶硅基板，来形成离子注入层的工序；

在上述金属基板上形成透明绝缘性层的工序；

于上述单晶硅基板的离子注入面与上述金属基板上的透明绝缘性层表面的至少其中一方，进行表面活化处理的工序；

将上述单晶硅基板的离子注入面与上述金属基板上的透明绝缘性层表面贴合的工序；

对上述离子注入层施予冲击，机械性剥离上述单晶硅基板，来作成单晶硅层的工序；

在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个与上述第一导电型相异的导电型即第二导电型的扩散区域，至少在面方向形成多个pn结，并作成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；

在上述单晶硅层的上述多个第一导电型区域上，分别形成多个第一个别电极，而在上述多个第二导电型区域上，分别形成多个第二个别电极的工序；

形成用以连结上述多个第一个别电极的第一集电电极与用以连结上述多个第二个别电极的第二集电电极的工序；以及

形成用以覆盖上述多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的透明保护膜的工序。

2.如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述金属基板对于可见光具有60％以上的反射率。

3.如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述透明绝缘性层含有氧化硅、氮化硅、氧化铝之中的至少一种。

4.如权利要求2所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述透明绝缘性层含有氧化硅、氮化硅、氧化铝之中的至少一种。

5.如权利要求1所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述表面活化处理为等离子体处理或臭氧处理的至少一种。

6.如权利要求2所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述表面活化处理为等离子体处理或臭氧处理的至少一种。

7.如权利要求3所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述表面活化处理为等离子体处理或臭氧处理的至少一种。

8.如权利要求4所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述表面活化处理为等离子体处理或臭氧处理的至少一种。

9.如权利要求1～8中任一项所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，上述离子注入的深度，设成从离子注入面算起2μm以上、50μm以下。

10.如权利要求1～8中任一项所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，将上述透明绝缘性层作成具有光散射性。

11.如权利要求9所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，将上述透明绝缘性层作成具有光散射性。

12.如权利要求1～8中任一项所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，将上述透明保护膜作成具有光散射性。

13.如权利要求9所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，将上述透明保护膜作成具有光散射性。

14.如权利要求10所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，将上述透明保护膜作成具有光散射性。

15.如权利要求11所述的单晶硅太阳能电池的制造方法，其中，将上述透明保护膜作成具有光散射性。

16.一种单晶硅太阳能电池，是根据权利要求1～8中任一项所述的单晶硅太阳能电池的制造方法制造而成。

17.一种单晶硅太阳能电池，其特征为：

至少依序层积金属基板、透明绝缘性层、单晶硅层和透明保护膜；上述单晶硅层，在上述透明保护膜侧的表面，形成多个第一导电型区域和多个第二导电型区域，至少在面方向，形成多个pn结；在上述单晶硅层的上述多个第一导电型区域上，分别形成多个第一个别电极；在上述多个第二导电型区域上，分别形成多个第二个别电极；并形成有用以连结上述多个第一个别电极的第一集电电极以及用以连结上述多个第二个别电极的第二集电电极。