[发明专利]半导体元件及制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体元件的方法，包括：

提供具有第一主表面和第二主表面、有源区和周边区的半导体材 料；

在所述半导体材料中形成一个或更多沟槽，所述沟槽从所述有源 区延伸到所述周边区；以及

由所述半导体材料的周边区形成场氧化物，其中所述一个或更多 沟槽直接延伸到所述场氧化物之下。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述一个或更多沟 槽中形成多晶硅以及在所述场氧化物的一部分之上形成多晶硅。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包括在所述半导体材料的 第一部分中形成第一传导类型的第一掺杂区以及在所述半导体材料 的第二部分中形成第二传导类型的第二掺杂区，其中形成所述第二掺 杂区的步骤包括：

在所述一个或更多沟槽中的所述多晶硅之上以及在所述场氧化 物之上的所述多晶硅之上形成电介质材料层；

去除在所述场氧化物和所述一个或更多沟槽中的第一沟槽之间 的所述电介质材料层的一部分；以及

给所述半导体材料的所述第二部分加入掺杂剂以形成所述第二 掺杂区。

4.如权利要求2所述的方法，进一步包括：

在形成所述一个或更多沟槽之后在所述半导体材料中形成第一 传导类型的第一掺杂区，其中所述一个或更多沟槽比所述第一掺杂区 更远地从所述第一主表面延伸到所述半导体材料中，以及

通过下列步骤形成第二掺杂区：

在所述一个或更多沟槽中的所述多晶硅之上以及在所述场

氧化物之上的所述多晶硅之上形成电介质材料层；

去除在所述场氧化物和所述一个或更多沟槽中的第一沟槽 之间的所述电介质材料层的一部分以及所述场氧化物的一部分， 以暴露所述第一掺杂区的第一部分；

通过所述第一掺杂区的所暴露的第一部分进行蚀刻，以暴露 所述半导体材料的第二部分；以及

用第二传导类型的杂质材料掺入所述半导体材料的所述第 二部分。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括形成到所述第一掺杂 区和所述第二掺杂区以及到所述半导体材料的所述第二主表面的金 属接触。

6.一种用于制造半导体元件的方法，包括：

提供具有第一和第二主表面的半导体材料，所述半导体材料包括 设置在半导体基底上的外延层并具有有源区和周边区；

在所述半导体材料中形成多个沟槽，其中所述多个沟槽从所述第 一主表面垂直地延伸到所述外延层中并从所述有源区横向延伸到所 述周边区；以及

由所述周边区形成场氧化物，其中所述多个沟槽的一部分延伸到 所述场氧化物之下。

7.如权利要求6所述的方法，其中提供所述半导体材料的步骤 包括提供从所述第一主表面延伸到所述半导体材料中一段第一距离 的第一传导类型的杂质材料层，且所述方法进一步包括：

在所述有源区和所述周边区之上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层构图，保留下在所述场氧化物的第一部分之上的 所述多晶硅层的第一部分以及在所述多个沟槽中的至少一个之上的 所述多晶硅层的第二部分；

在所述多晶硅层的所述第一部分之上以及在所述多晶硅层的所 述第二部分之上形成电介质材料层；

由所述电介质材料层形成掩模结构，其中所述电介质材料层的第 一部分保留在所述多晶硅层的所述第一部分之上，以及所述电介质材 料层的第二部分保留在所述多晶硅层的所述第二部分之上，且其中所 述电介质材料层的第二部分被暴露；

去除所述电介质材料层的所述第二部分以暴露所述场氧化物的 一部分；

去除所述场氧化物的被暴露部分以暴露所述杂质材料层的一部 分；以及

在所述半导体材料的层中形成沟槽，所述沟槽具有底和侧壁，并 从所述杂质材料层的被暴露部分的所述第一主表面延伸到所述半导 体材料中一段第二距离，其中所述底暴露所述半导体材料的第二部 分，以及其中所述第二距离大于所述第一距离，且所述侧壁暴露所述 第一传导类型的所述杂质材料层的一部分。