[发明专利]制造液晶显示设备的方法

权利要求书

1.一种制造液晶显示设备的方法，所述方法包括：

(a)制造液晶板，所述液晶板被分为透光区和非透光区，并且包括上基底、下基底以及填充在所述基底之间的液晶层，所述上基底和下基底彼此隔开并且相对，其中，所述下基底具有多个薄膜晶体管；

(b)在暴露于所述液晶板的外部的所述上基底上沉积具有一定厚度的透明导电层；以及

(c)进行蚀刻处理，以去除整个所述透明导电层和所述上基底的一部分，从而在暴露于外部的所述上基底的表面上形成不规则的凸起部和凹陷部。

2.根据权利要求1所述的制造液晶显示设备的方法，其中，如果所述透明导电层由铟锡氧化物(ITO)形成，则使用氢氟(HF)酸基蚀刻剂。

3.根据权利要求1所述的制造液晶显示设备的方法，其中，在步骤(b)，所述透明导电层具有40～120纳米的厚度。

4.根据权利要求1所述的制造液晶显示设备的方法，其中，在步骤(c)，进行所述蚀刻处理从而去除所述下基底的一部分。

5.一种制造液晶显示设备的方法，所述方法包括：

(a’)制造液晶板，所述液晶板被分为透光区和非透光区，并且包括上基底、下基底以及填充在所述基底之间的液晶层，所述上基底和下基底彼此隔开并且相对，其中，所述下基底具有多个薄膜晶体管；

(b’)在暴露于所述液晶板的外部的所述上基底上沉积具有一定厚度的透明导电层；

(c’)使用光刻处理使所述透明导电层图形化，从而形成对应于所述非透光区的透明导电图案；以及

(d’)进行蚀刻处理，以去除整个所述透明导电层和所述上基底的一部分，从而在所述上基底的表面上形成不规则的凸起部和凹陷部，所述透明导电图案在所述上基底的表面上形成。

6.根据权利要求5所述的制造液晶显示设备的方法，其中，如果所述透明导电层由铟锡氧化物(ITO)形成，则使用氢氟(HF)酸基蚀刻剂。

7.根据权利要求5所述的制造液晶显示设备的方法，其中在步骤(b’)，所述透明导电层具有40～120纳米的厚度。

8.根据权利要求5所述的制造液晶显示设备的方法，其中在步骤(d’)，进行所述蚀刻处理从而去除所述下基底的一部分。

9.根据权利要求5所述的制造液晶显示设备的方法，其中，在步骤(d’)，在所述蚀刻处理过程中，所述上基底的一部分被去除，而不形成所述凸起部和凹陷部，所述上基底的一部分上未形成所述透明导电层。