[发明专利]半导体设备及切换半导体设备的驱动能力的方法无效
| 申请号: | 200810090573.2 | 申请日: | 2008-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN101281905A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
| 发明(设计)人: | 沖井理典 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03K19/0185;G11C16/06;G05F1/56;G06F13/00;H04L25/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 胡琪 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体设备 切换 驱动 能力 方法 | ||
1.一种连接到其他半导体设备的半导体设备,包括:
控制部分,其基于其他半导体设备的控制信息,控制对于其他半导体设备的驱动能力。
2.如权利要求1所述的半导体设备,还包括:
输出端,其输出信号到其他半导体设备,
其中所述控制部分基于其他半导体设备的控制信息,控制输出端的输出电流。
3.如权利要求1所述的半导体设备,还包括:
输出端,其输出信号到其他半导体设备,
其中所述控制部分基于其他半导体设备的控制信息,控制输出端的输出电压。
4.如权利要求1所述的半导体设备,还包括:
输出端,其输出信号到其他半导体设备,
其中所述控制部分基于其他半导体设备的控制信息,控制输出端的输出阻抗。
5.如权利要求2所述的半导体设备,还包括:
驱动能力控制电路,其基于对应于要激活的其他半导体设备的地址值,生成控制信号;以及
驱动能力改变电路,其基于该控制信号,将输出端设置为具有对应于要激活的其他半导体设备的驱动能力。
6.如权利要求3所述的半导体设备,还包括:
驱动能力控制电路,其基于对应于要激活的其他半导体设备的地址值,生成控制信号;以及
驱动能力改变电路,其基于该控制信号,将输出端设置为具有对应于要激活的其他半导体设备的驱动能力。
7.如权利要求4所述的半导体设备,还包括:
驱动能力控制电路,其基于对应于要激活的其他半导体设备的地址值,生成控制信号;以及
驱动能力改变电路,其基于该控制信号,将输出端设置为具有对应于要激活的其他半导体设备的驱动能力。
8.如权利要求5所述的半导体设备,其中所述驱动能力改变电路具有用于根据所述控制信号设置输出电流的输出电流确定电路。
9.如权利要求6所述的半导体设备,其中所述驱动能力改变电路具有用于根据所述控制信号设置输出电压的输出电压确定电路。
10.如权利要求7所述的半导体设备,其中所述驱动能力改变电路具有用于根据所述控制信号确定输出阻抗的输出阻抗确定电路。
11.一种控制连接到其他半导体设备的半导体设备的驱动能力的方法,包括:
生成所述其他半导体设备的控制信息;以及
基于所生成的控制信息控制对于其他半导体设备的驱动能力。
12.如权利要求11所述的方法,还包括:
根据所述控制信息,控制用于输出信号到其他半导体设备的、在半导体设备中提供的输出端的输出电流。
13.如权利要求11所述的方法,还包括:
根据所述控制信息,控制用于输出信号到其他半导体设备的、在半导体设备中提供的输出端的输出电压。
14.如权利要求11所述的方法,还包括:
根据所述控制信息,控制用于输出信号到其他半导体设备的、在半导体设备中提供的输出端的输出阻抗。
15.一种具有彼此连接的多个半导体设备的系统,其中一个半导体设备基于其他半导体设备的控制信息,控制对于其他半导体设备的驱动能力。
16.如权利要求15所述的系统,其中控制用于输出信号到其他半导体设备的、在所述一个半导体设备中提供的输出端的输出电流。
17.如权利要求15所述的系统,其中控制用于输出信号到其他半导体设备的、在所述一个半导体设备中提供的输出端的输出电压。
18.如权利要求15所述的系统,其中控制用于输出信号到其他半导体设备的、在所述一个半导体设备中提供的输出端的输出阻抗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810090573.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有散热片隔离结构的集成电路封装系统
- 下一篇:高尔夫球杆头
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





