[发明专利]复合金属基板及其工艺无效
申请号: | 200810090563.9 | 申请日: | 2008-04-03 |
公开(公告)号: | CN101552211A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 吴建男;杨耿忠;黄维乾 | 申请(专利权)人: | 旭德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/488;H05K3/46;H05K1/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 金属 及其 工艺 | ||
1.一种复合金属基板的工艺,包括:
提供复合金属基材,该复合金属基材包括第一金属层、中间层以及第二金属层;
形成多个贯穿该复合金属基材的传动孔;
图案化该第一金属层,以形成多个半蚀孔;
图案化该第二金属层,以形成多个焊垫;以及所述多个
去除该中间层显露于所述多个焊垫之外的区域,以形成多个连接垫,其中所述多个连接垫分别覆盖所述多个半蚀孔,并分别与所述多个焊垫相连。
2.如权利要求1所述的复合金属基板的工艺,其中提供该复合金属基材的步骤包括:
在该第一金属层上全面性电镀该中间层;以及
在该中间层上全面性电镀该第二金属层。
3.如权利要求1所述的复合金属基板的工艺,其中图案化该第一金属层的步骤包括:
将感光膜覆盖该第一金属层,并进行曝光、显影工艺以使该感光膜形成多个感光孔;以及
对显露于所述多个感光孔的中的该第一金属层进行蚀刻,以形成所述多个半蚀孔。
4.如权利要求3所述的复合金属基板的工艺,其中形成所述多个半蚀孔之后,还包括无电电镀、电镀或印刷焊接材料于各该半蚀孔中。
5.如权利要求1所述的复合金属基板的工艺,其中图案化该第二金属层的步骤包括:
将感光膜覆盖该第二金属层,并进行曝光、显影工艺以使该感光膜形成感光图案;
以该中间层作为蚀刻中止层,对显露于该感光图案之外的该第二金属层进行蚀刻,以形成所述多个焊垫;以及
当蚀刻中止后,去除该感光膜。
6.如权利要求1所述的复合金属基板的工艺,其中去除该中间层显露于所述多个焊垫之外的区域包括蚀刻。
7.如权利要求1所述的复合金属基板的工艺,还包括电镀抗氧化层于各该焊垫的显露表面。
8.一种复合金属基板,包括:
第一金属层,具有多个半蚀孔;
第二金属层,具有多个焊垫,所述多个焊垫分别对应所述多个半蚀孔;以及
中间层,经图案化而形成多个连接垫,而所述多个连接垫分别覆盖所述多个半蚀孔,并分别与所述多个焊垫相连。
9.如权利要求8所述的复合金属基板,还包括焊接材料,其配置于各该半蚀孔中。
10.如权利要求8所述的复合金属基板,其中该第一金属层与该第二金属层的材质包括铜或铝。
11.如权利要求8所述的复合金属基板,其中该中间层的材质包括镍、铬或镍金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造