[发明专利]可变电阻和发光装置无效

专利信息
申请号: 200810090246.7 申请日: 2008-03-31
公开(公告)号: CN101276664A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 佐藤弘幸;斋藤洋;田中隆一;沼田真;武内吾郎 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01C7/10 分类号: H01C7/10;H01C7/112
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 刘春成
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 可变 电阻 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种可变电阻,其特征在于,包括:

可变电阻部,具有表现电压非直线特性的可变电阻素体,和夹持该可变电阻素体、以至少一部分相对的方式配置的内部电极;

与所述内部电极连接的、作为外部元件的连接端的外部电极;和

对所述可变电阻部进行热连接的放热部,

所述可变电阻素体以半导体陶瓷为主成分,所述放热部由金属和金属氧化物的复合材料构成。

2.一种可变电阻,其特征在于,包括:

可变电阻部,具有表现电压非直线特性的可变电阻素体、配置在该可变电阻素体内部的电极部、和配置在所述可变电阻素体表面的、至少一部分与所述电极部相对的电极部;和

对所述可变电阻部进行热连接的放热部,

所述可变电阻素体以半导体陶瓷为主成分,所述放热部由金属和金属氧化物的复合材料构成。

3.如权利要求1或2所述的可变电阻,其特征在于:

所述金属从所述放热部中与所述可变电阻部接触的面遍及导通到不与所述可变电阻部接触的面。

4.如权利要求1或2所述的可变电阻,其特征在于:

所述金属氧化物包含ZnO。

5.如权利要求3所述的可变电阻,其特征在于:

所述金属氧化物包含ZnO。

6.如权利要求1或2所述的可变电阻,其特征在于:

所述金属氧化物包含金属涂覆的Al2O3

7.如权利要求3所述的可变电阻,其特征在于:

所述金属氧化物包含金属涂覆的Al2O3

8.如权利要求1或2所述的可变电阻,其特征在于:

所述金属以Ag为主成分。

9.如权利要求3所述的可变电阻,其特征在于:

所述金属以Ag为主成分。

10.如权利要求4所述的可变电阻,其特征在于:

所述金属以Ag为主成分。

11.如权利要求5所述的可变电阻,其特征在于:

所述金属以Ag为主成分。

12.如权利要求1或2所述的可变电阻,其特征在于:

所述可变电阻部和所述放热部通过同时烧制而形成。

13.一种发光装置,其特征在于:

其为具有发光元件和可变电阻的发光装置,所述可变电阻包括:

可变电阻部,具有表现电压非直线特性的可变电阻素体,和夹持该可变电阻素体、以至少一部分相对的方式配置的内部电极;

与所述内部电极连接的、作为所述发光元件的连接端的外部电极;和

以与所述可变电阻部接触的方式配置的放热部,

所述可变电阻素体以ZnO为主成分,所述放热部由金属和金属氧化物的复合材料构成。

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