[发明专利]膜层、膜层的形成方法和具有该膜层的薄膜太阳能电池

权利要求书

1、一种膜层，所述膜层位于多结薄膜太阳能电池的结与结之间，用于复合结与结交界面处的电子和空穴。

2、根据权利要求1所述的膜层，其特征在于：所述膜层为复合层。

3、根据权利要求2所述的膜层，其特征在于：所述复合层的电子缺陷密度大于或等于5×10¹⁸/cm³，导电率大于或等于0.01/欧姆·厘米。

4、一种膜层的形成方法，包括：

向反应室内通入反应气体；

向反应室中通入惰性气体；

向反应室内的电极板供电将反应室内的气体激发为等离子体，从而沉积膜层。

5、根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述惰性气体为氩气、氮气或氦气。

6、根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述反应气体包括氢气、硅烷、磷烷或三氟化磷。

7、根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述反应气体包括氢气、硅烷和三甲烷化硼(TMB，B[CH₃]₃)。

8、根据权利要求5、6或7所述的方法，其特征在于：所述惰性气体和硅烷的体积比为4∶1至500∶1，所述惰性气体对氢气的流量比为大于3∶1。

9、根据权利要求8所述的方法，其特征在于：在反应室内沉积所述膜层的时间为10～30秒，施加在电极板上的等离子体能量密度为40mW/cm²～300mW/cm²。

10、根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述反应室具有大面积板状激励电极板和接地电极板，所述激励电极板和接地电极板等距、纵向间隔交替排列。

11、一种具有如权利要求1所述膜层的薄膜太阳能电池，所述薄膜太阳能电池为多结层叠结构，所述结各包括p层、i层和n层，所述膜层位于多结薄膜太阳能电池的结与结之间，其特征在于：所述膜层为具有高电子缺陷密度和较高导电率的复合层，用于充分复合结与结交界面处的电子和空穴。

12、根据权利要求11所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述复合层的电子缺陷密度大于或等于5×10¹⁸/cm³，导电率大于或等于0.01/欧姆·厘米。