[发明专利]透明导电氧化物层作为阴极的有机发光装置及其制造方法

说明书

相关申请的引用

本申请要求于2007年4月5日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.2007-33749的权益，该申请的公开内容通过引用以其整体合并于此。

技术领域

本发明的方案涉及有机发光装置及其制造方法。更具体地说，本发明的方案涉及包括透明导电氧化物层作为阴极的有机发光装置以及制造所述有机发光装置的方法。

背景技术

通常，有机发光装置包括：阳极、布置在所述阳极上的有机发光层和布置在所述有机发光层上的阴极。当在所述阳极和所述阴极之间施加电压时，来自所述阳极的空穴被注入所述有机发光层，来自所述阴极的电子也被注入所述有机发光层。注入所述有机发光层的所述空穴和所述电子被重新组合以生成激子，所述激子从激发态跃迁到基态时就会发光。

有机发光装置主要被分类为底部发射型和顶部发射型；在底部发射型有机发光装置中从有机发光层发射的光通过下基板被发送，在顶部发射型有机发光装置中从有机发光层发射的光通过上基板被发送。顶部发射型有机发光装置的优势在于，它比底部发射型有机发光装置具有更高的孔径比。

在顶部发射型有机发光装置中，可透射光的阴极被形成为具有低功函数的金属层，例如MgAg层，以便提供电子注入特性。然而，金属阴极针对可见光波长区域的光呈现出大反射率。因此，包括金属阴极的顶部发射型有机发光装置实质上具有微腔结构。这种微腔结构导致作为观看角度的函数的亮度变化和色差。此外，由于微腔结构，必需将包括机发光层的各种有机功能层的厚度严格控制在2％或小于2％的薄膜均匀性范围之内。这样严重阻碍了有机发光装置的大批量生产。

发明内容

本发明的几个方案提供不具有微腔特性的顶部发射型有机发光装置。

本发明的一方案提供一种有机发光装置，其包括：布置在基板上的阳极；布置在所述阳极上且至少包括有机发光层的有机功能层；以及作为布置在所述有机功能层上的透明导电氧化物层的阴极。

所述透明导电氧化物层可以利用等离子辅助热蒸发来形成。所述透明导电氧化层可以是铟氧化物层、铟锡氧化物层、锡氧化物层、铟锌氧化物层、铝锌氧化物层、铝锡氧化物层或铝铟氧化物层。

电子注入增强层可以布置在所述有机功能层和所述阴极之间。所述电子注入增强层可以是厚度小于穿透深度的金属层。所述电子注入增强层可以是包括Mg、Ca或In的层。

所述阳极可以包括金(Au)或铂(Pt)。所述阳极也可以是由掺杂以绝缘氧化物材料的透明导电氧化物材料制成的层。所述透明导电氧化物材料可以是铟氧化物、铟锡氧化物、锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物、铝锡氧化物或铝铟氧化物，并且所述绝缘氧化物材料可以是镧氧化物、钇氧化物、铍氧化物、钛氧化物、硅氧化物、镓氧化物、钯氧化物或钐氧化物。

本发明的另一方案提供一种制造有机发光装置的方法，该方法包括：在基板上形成阳极；在所述阳极上形成至少包括有机发光层的有机功能层；以及在所述有机功能层上形成作为透明导电氧化物层的阴极。

本发明的其它方案和/或优势的一部分将在随后描述中阐述，并且将通过说明书的描述显而易见，或者可以通过实施本发明来获悉。

附图说明

本发明的这些和/或其它方案和优势将从以下结合附图对实施例的描述中变得清楚和更易于理解，在附图中：

图1是示出根据本发明实施例的有机发光装置的截面图；

图2A和2B是示出分别利用传统溅射工艺形成的铟氧化物层和利用等离子辅助热蒸发工艺形成的铟氧化物层的扫描电子显微(SEM)图像；

图3是示出利用等离子体辅助热蒸发工艺形成的铟氧化物层的透射率针对波长的曲线图；

图4是示出在制造例和比较例1中制造的有机发光装置的电流密度-电压特性曲线图；以及

图5是示出在制造例和比较例2中制造的有机发光装置的电流密度-电压特性曲线图。

具体实施方式