[发明专利]用于等离子体增强型化学气相沉积工艺的等离子体感应电荷损坏的控制

权利要求书

1、一种沉积无定形碳薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：

引入烃化合物到腔室；

在含有约0.01W/cm²和约2W/cm²之间的第一功率等级的RF功率下反应一段时间，以在所述腔室中的衬底上沉积无定形碳薄膜的起始层；

在所述起始层上在第二RF功率等级沉积块无定形碳薄膜，其中所述第二功率等级大于所述第一功率等级。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述起始层的厚度在约10和约1000之间。

3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述RF功率在整个起始层的沉积中保持在所述第一RF功率等级。

4、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述RF功率在所述起始层沉积期间驱升。

5、根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述RF功率以约0.001W/cm²/sec和约1000W/cm²/sec之间的速率驱升。

6、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述起始层沉积之前适应所述腔室，其中，适应所述腔室包括在所述腔室的一个或多个内表面上沉积无定形碳层。

7、一种沉积无定形碳薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：

以第一流速引入烃化合物到腔室；

以第二流速引入惰性气体到腔室，其中所述第一流速与所述第二流速的比率在约0.001和约1000之间；

在RF功率下反应烃化合物一段时间，以在所述腔室中的衬底上沉积无定形碳的起始层。

8、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述惰性气体为氦，并且所述第一流速与所述第二流速的比率在约0.001和约1000之间。

9、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述惰性气体为氩，并且所述第一流速与所述第二流速的比率在约0.001和约1000之间。

10、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述惰性气体包括氦和氩，并且所述烃化合物的流速与所述氦的流速的比率在约0.001和约1000之间，并且所述烃化合物的流速与所述氩的流速的比率在约0.001和约1000之间。

11、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，流入到所述腔室中的所述烃化合物和惰性气体的总流速在约0.01sccm/cm²和约1000sccm/cm²之间。

12、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述RF功率包括约0.01W/cm²和约100W/cm²之间的RF功率等级。

13、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括在所述起始层的沉积和在所述起始层上沉积块无定形碳薄膜之后驱升所述RF功率等级。

14、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括在所述起始层的沉积和在所述起始层上沉积块无定形碳薄膜之后调整所述烃化合物的流速和所述惰性气体的流速。

15、一种沉积无定形碳薄膜的方法，其特征在于，该方法包含：

引入烃化合物和惰性气体到腔室；

在RF功率下反应烃化合物一段时间，以在所述腔室的衬底上沉积无定形碳薄膜的起始层；

在所述起始层沉积之后，将烃化合物的流速缓慢增加到最终烃化合物流速，将所述惰性气体的流速缓慢增加到最终惰性气体流速，将所述RF功率驱升到最终RF功率等级；以及随后

在所述起始层上沉积块无定形碳薄膜。

16、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述起始层沉积期间，所述RF功率包括约0.01W/cm²和约2W/cm²之间的RF功率等级。

17、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述惰性气体的流速达到所述最终惰性气体流速之前和所述烃化合物达到所述最终烃化合物流速之前，所述RF功率驱升到所述最终RF功率等级。