[发明专利]发光装置的制造方法

权利要求书

1.一种发光装置的制造方法，其特征在于包括下列步骤：

提供一晶圆，其上具有多颗发光半导体晶粒；

定义相应于该多颗发光半导体晶粒的一光径区；以及

于该光径区上形成一发光粉粒层，其中，该发光粉粒层的主要部分包括多颗发光粉粒，这些发光粉粒通过相互分子吸引力凝结成块且不含黏合剂。

2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于更包括于该发光粉粒层上形成一应力缓冲层。

3.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法，其特征在于更包括于该应力缓冲层上顺应性形成一保护层。

4.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于该保护层的厚度大于该应力缓冲层。

5.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法，其特征在于该保护层的硬度大于该应力缓冲层。

6.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于形成该发光粉粒层的步骤包括：

分散多颗发光粉粒于一液体中以形成一混合液，其中该液体不含粘合剂；

将该混合液静置于该晶圆上一段时间；以及

移除该液体，使这些发光粉粒凝结成块，以于该晶圆上形成一发光粉粒层。

7.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于这些发光半导体晶粒包括多个晶粒上表面，且该光径区位于这些晶粒上表面上，或位于这些晶粒上表面的上方。

8.根据权利要求7所述的发光装置的制造方法，其特征在于更包括定义一非光径区，其位于两发光半导体晶粒之间。

9.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于于该光径区上形成该发光粉粒层包括：

于该光径区和该非光径区上形成一发光粉粒层；

于该光径区上形成一保护层，以覆盖该发光粉粒层；以及

移除位于该非光径区上的该发光粉粒层。

10.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于其包括执行一烘干步骤以形成该发光粉粒层。