[发明专利]导电膜及其制造方法、电子装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及导电膜及其制造方法、电子装置及其制造方法，其 适用于例如使用由单壁碳纳米管形成的挠性透明导电膜的各种电 子装置。

背景技术

最近，单壁碳纳米管以在电子装置上的应用为目的，而可以被 广泛用于制造挠性透明导电膜(参照非专利文献1～5。)。作为用于 制造该单壁碳纳米管形成的透明导电膜的方法，已知有以下几种： 溶剂滴塑法(参照非专利文献6)、旋涂法(参照非专利文献5)、 气刷法(airbrush)(参照非专利文献1)、浸渍模塑法(参照非专利 文献7)及LB法(Langmuir-Blodgett法)(参照非专利文献8)。但 是，这些方法由于所得到的膜的均匀性较差、膜的生产效率低、膜 厚的控制性较差、由纳米管间的范德华力的相互作用引起的凝集等 原因而存在限制(参照非专利文献9)。与上述方法不同，Wu等人 开发的真空过滤法(参照非专利文献1)是简单且高效的方法，可 以制造均匀的各种厚度的膜。

在利用过滤法制造透明导电膜之前，必须分离单壁碳纳米管， 并使其良好地分散在液体中。至此，为了使分离的单壁碳纳米管稳 定地分散，已开发了各种方法。在已报道的各种方法中，表面活性 剂如十二烷基硫酸钠(SDS)等常常被用来分散单壁碳纳米管，因 为表面活性剂对单壁碳纳米管是非共价修饰，对其结构几乎不会造 成损伤，已有报道用表面活性剂分散单壁碳纳米管并制成单笔碳纳 米管(参照非专利文献4、10)。可期待该界面活性剂在过滤工序中 通过用水清洗而去除，但是，涂布单壁碳纳米管的残留界面活性剂 仍然存在，由于界面活性剂为绝缘体，所以这将增大单壁碳纳米管 间的接触电阻。因此，为了去除单壁碳纳米管膜中的界面活性剂， 改善膜的电学性质，使用了酸处理(参照非专利文献11)等各种后 处理法。但是，后处理受到使用的基板限制，有时恐怕可能破坏单 壁碳纳米管膜而不适用。

以前，Wang等人在利用单壁碳纳米管对电流检测型生物传感 器中的电极表面进行改性的研究中，报告了Nafion(注册商标)可 用于作为单壁碳纳米管的可溶化试剂(参照非专利文献12)。

非专利文献1

Z.Wu，Z.H.Chen，X.Du，J.M.Logan，J.Sippel，M.Nikolou，et al.Transparent conductive carbon nanotube films，Science，2004，305，1273

非专利文献2

G.Gruner，Carbon nanotube films for transparent and plastic electronics，Journal of Materials Chemistry，2006，16，3533

非专利文献3

Y.X.Zhou，L.B.Hu，and G.Gruner，A method of printing carbon nanotube thin films，Applied Physics Letters，2006，88，123109

非专利文献4

E.Artukovic，M.Kaempgen，D.S.Hecht，S.Roth，and G.Gruner，Transparent and flexible carbon nanotube transistors，Nano Letters.2005，5，757

非专利文献5

M.A.Meitl，Y.X.Zhou，A.Gaur，S.Jeon，M.L.Usrey，and J.A.Rogers，Solution casting and transfer printing single-walled carbon nanotube films，Nano Letters.2004，4，1643

非专利文献6

T.V.Sreekumar，T.Liu，S.Kumar，L.M.Ericson，R.H.Hauge，R.E.Small ey，Single-Wall Carbon Nanotube Films，Chemistry of Materials，2003，15，175

非专利文献7