[发明专利]自适应和自校准的多级非易失性存储器

权利要求书

1.一种调整非易失性存储器单元的阈值电压的方法，该非易失性存储器单元具有浮置栅极或电介质、和控制栅极，该浮置栅极或电介质用于电荷的接收和存储以改变该单元的阈值电压，并且该控制栅极用于电压的接收，以当该控制栅极上的电压等于或超过该单元的选择的阈值电压时导通该单元，该方法包括：

将与选择的阈值电压相对应的选择的电荷放置在所述浮置栅极或电介质上；

在电荷已经放置在所述浮置栅极或电介质上、并且与所述选择的阈值电压相对应的电压已经被施加到所述控制栅极之后，测量来自该存储器单元的电流，该电荷被认为响应于施加到所述控制栅极的选择的阈值电压，允许单元导通；

比较测量的电流、与当对应于期望的阈值电压的电压被施加到所述非易失性存储器单元的控制栅极时应该流动的电流；以及

如果测量的电流在当指定的阈值电压被施加到所述控制栅极时应该从存储器单元流动的电流的范围外，则调整在浮置栅极或电介质上的电荷，以将来自该非易失性存储器单元的输出电流置于与选择的阈值电压相关联的容限带内。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述浮置栅极上的电荷的调整包括：

在所述浮置栅极上放置附加的电荷，以使来自所述非易失性存储器单元的输出电流在与选择的阈值电压相关联的容限带内。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述浮置栅极上的电荷的调整包括：

减少在所述浮置栅极上的电荷，以使来自所述非易失性存储器单元的输出电流在与选择的阈值电压相关联的容限带内。

4.一种用于调整非易失性存储器单元的阈值电压的结构，该非易失性存储器单元具有浮置栅极或电介质、和控制栅极，该浮置栅极或电介质用于电荷的接收和存储以改变单元的阈值电压，该控制栅极用于电压的接收，以当该控制栅极上的电压等于或超过该单元的选择的阈值电压时导通该单元，该结构包括：

用于将与选择的阈值电压相对应的选择的电荷放置在所述浮置栅极或电 介质上的装置；

用于在电荷已经放置在所述浮置栅极或电介质上、并且与所述选择的阈值电压相对应的电压已经被施加到所述控制栅极之后、测量来自该存储器单元的电流的装置，该电荷被认为响应于施加到所述控制栅极的选择的阈值电压，允许单元导通；

用于比较测量的电流与当对应于期望的阈值电压的电压被施加到所述非易失性存储器单元的控制栅极时应该流动的电流的装置；以及

用于如果测量的电流在当指定的阈值电压被施加到所述控制栅极时应该从存储器单元流动的电流的范围外、则调整在浮置栅极或电介质上的电荷，以使来自所述非易失性存储器单元的输出电流置于在与选择的阈值电压相关联的容限带内的装置。

5.如权利要求4所述的结构，其中用于调整所述浮置栅极上的电荷的装置包括：

用于在所述浮置栅极或电介质上放置附加的电荷、以使来自所述非易失性存储器单元的输出电流在与选择的阈值电压相关联的容限带内的装置。

6.如权利要求4所述的结构，其中用于调整所述浮置栅极上的电荷的装置包括：

用于减少在所述浮置栅极或电介质上的电荷、以使来自所述非易失性存储器单元的输出电流在与选择的阈值电压相关联的容限带内的装置。