[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：

固定磁化层，其磁化被实质地固定在一个方向上；

自由磁化层，其磁化根据外部磁场转动，并被形成于所述固定磁化层的相对面；

分隔层，包括具有绝缘层和在所述绝缘层的厚度方向上通过电流的导体的电流限制层，并位于所述固定磁化层和所述自由磁化层之间；

薄膜层，相对于所述自由磁化层位于所述分隔层的相对侧；及

功能层，含有从Si、Mg、B、Al组成的组中选择的至少一种元素，并形成于所述固定磁化层、所述自由磁化层和所述薄膜层中至少一个层之中或之上。

2.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述功能层被形成于所述固定磁化层和所述自由磁化层中至少一个层之中或之上。

3.如权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述功能层被形成于所述自由磁化层之中或之上。

4.如权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述功能层被形成于所述固定磁化层之中或之上。

5.如权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述功能层被形成于所述自由磁化层之中。

6.如权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述功能层被形成于所述固定磁化层之中。

7.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述固定磁化层、所述分隔层、所述自由磁化层和所述薄膜层被依次形成，其中所述功能层被形成于所述薄膜层之中或之上。

8.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述功能层含有Si。

9.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述功能层的厚度在0.1-10纳米的范围内。

10.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述分隔层包括金属层，所述金属层被形成为邻近所述电流限制层、及所述固定磁化层和自由磁化层中的至少一个层。

11.如权利要求10所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述金属层含有从Cu，Ag，及Au组成的组中选择的至少一种元素。

12.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述电流限制层的导体主要含有从Cu，Ag，Au组成的组中选择的至少一种元素。

13.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述固定磁化层和所述自由磁化层中的至少一个层含有Fe。

14.如权利要求13所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述固定磁化层和/或所述自由磁化层与所述分隔层相距1纳米或以下的区域中的Fe含有量被设为10％或以上。

15.如权利要求14所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述固定磁化层和/或所述自由磁化层与所述分隔层相距1纳米或以下的区域中的Fe含有量被设为40％或以上。

16.一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：

固定磁化层，其磁化被实质地固定在一个方向上；

分隔层，包括第一金属层，其含有从Cu，Ag，Au组成的组中选择的至少一种元素；电流限制层，其具有含有Al的绝缘层和含有从由Cu，Al，Au组成的组中选择的至少一种元素、并在所述绝缘层的厚度方向通过电流的导体；及第二金属层，其含有从由Cu，Ag，Au组成的组中选择的至少一种元素；其中所述第一金属层、所述电流限制层和所述第二金属层被依次层叠于所述固定磁化层之上；

自由磁化层，其磁化根据外部磁场转动，并被形成于所述分隔层之上；

薄膜层，被形成于所述自由磁化层之上；及

功能层，含有从Si，Mg，B，Al组成的组中选择的至少一种元素，并被形成于所述固定磁化层、所述自由磁化层和所述薄膜层中的至少一个层之中或之上；

其中所述固定磁化层和/或所述自由磁化层与所述分隔层相距1纳米或以下区域中的Fe的含有量被设为10％或以上。