[发明专利]半导体装置无效
| 申请号: | 200810088183.1 | 申请日: | 2008-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN101247079A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
| 发明(设计)人: | 上原治 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/10 | 分类号: | H02M3/10;H02M3/156;H02M1/32 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;刘宗杰 |
| 地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1. 一种半导体装置,其为把从直流电源输入的输入直流电压变换为设定的直流输出电压、从输出端子输出的开关调节器用的半导体装置,其特征在于,具有,
过电压保护电路,其比较目标电压和所述输出端子上的输出电压,在该输出电压超过目标电压的场合,使所述输出端子成为放电状态。
2. 根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述过电压保护电路由下列部件组成,
比较器,用于比较目标电压和输出电压,在输出电压超过目标电压的场合,输出控制信号;和
放电开关,其通过所述输出信号成为导通状态,把所述输出端子连接到接地点。
3. 根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,还具有,
开关,其在开关调节器内设置,把输入直流电压变换为输出电压,导通/关断供给负荷的线圈;和
控制电路,用于进行该开关的导通/关断控制,
所述放电开关是MOS晶体管,设定晶体管尺寸使成为,在成为导通状态时用输出电压的设定值除负荷是最大值时流过所述线圈的电流和负荷是最小值时流过线圈的电流的差的数值的电阻值。
4. 根据权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于,所述比较器构成为在目标电压输入的端子侧附加偏置电压。
5. 一种开关调节器,其把从直流电源输入的输入直流电压变换为设定的直流输出电压、向在输出端子上连接的负荷输出,具有,
线圈,其连接在输出端子上;
开关,用于使电流流过该线圈;
控制电路,用于导通/关断控制该开关;和
过电压保护电路,其比较目标电压和所述输出端子上的输出电压,在该输出电压超过目标电压的场合,使所述输出端子成为放电状态。
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