[发明专利]数据验证方法和半导体存储器

权利要求书

1.一种验证被编程到多级存储器单元的多位写入数据的方法，该方法包括：

将从被编程到存储器单元的写入数据中选择的写入数据参考位与表示想要的写入数据位值的相应的外部数据位进行比较；以及

仅当写入数据参考位与相应的外部数据位之间的比较结果为肯定时，验证从写入数据中选择的、除写入数据参考位之外的目标位。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在该存储器单元中编程写入数据；以及

使用对应于该存储器单元的页面缓冲器，从该存储器单元中读取写入数据的一位作为写入数据参考位。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

将该写入数据参考位锁存在页面缓冲器中的锁存单元内；以及

将锁存的该写入数据参考位和相应的外部数据位应用到页面缓冲器中的比较单元；以及

在该比较单元内比较该写入数据参考位和相应的外部数据位。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

当验证目标位后，在存储器单元中编程该写入数据的所有位。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该目标位是该写入数据中的最高有效位或最低有效位。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该存储器单元是非易失性存储器单元。

7.根据权利要求6所述的方法，其中该存储器单元是多级闪速存储器单元。

8.根据权利要求1所述的方法，其中验证该目标位包括：确定与该写入数据参考位相关联的阈值电压分布是否与预期的阈值电压分布一致。

9.一种验证被编程到多级存储器单元的N位写入数据的方法，该方法包括：

将从被编程到存储器单元的N位写入数据中选择的M个写入数据参考位与相应的M个外部数据位进行比较，其中M小于N；以及

仅当M个写入数据参考位与相应的M个外部数据位的比较结果为肯定时，验证从写入数据中选择的、除写入数据参考位之外的P个目标位，其中M+P等于N。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在该存储器单元内编程N位写入数据；以及

使用对应于该存储器单元的页面缓冲器，从该存储器单元中读取写入数据的M位作为写入数据参考位。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

将该M位写入数据参考位锁存在页面缓冲器中的锁存单元内；以及

将锁存的该M位写入数据参考位和相应的M位外部数据位应用到页面缓冲器中的比较单元；以及

在该比较单元内比较该M位写入数据参考位和相应的M位外部数据位。

12.一种半导体存储器设备，包括：

多级存储器单元；以及

被配置为将写入数据编程到存储器单元、并且从存储器单元读取编程的数据的页面缓冲器，其中该页面缓冲器被进一步配置为关于从写入数据中选择的写入数据参考位与表示想要的写入数据值的相应的外部数据位之间的比较，有条件地执行关于从写入数据选择的目标位的写入数据验证。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器设备，其中该页面缓冲器包括：

锁存单元，其锁存该写入数据参考位；以及

比较单元，其接收该相应外部位并且比较该写入数据参考位和该相应外部数据位。

14.根据权利要求13所述的半导体存储器设备，其中该写入数据参考位包括多个写入数据参考位，并且该外部数据位包括多个外部数据位；

其中该锁存单元包括多个锁存器，其分别被配置为锁存多个写入数据参考位之一，以及

该比较单元包括多个比较器，其分别被配置为将多个写入数据参考位之一与多个外部数据位之一进行比较。