[发明专利]光电转换装置和具备该光电转换装置的显示面板无效
申请号: | 200810088107.0 | 申请日: | 2008-02-05 |
公开(公告)号: | CN101241922A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 山本卓己 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G02F1/133;G06F3/042 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 具备 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及一种光电转换装置,特别是关于可以对手指等对象物的载放进行检测的光电转换装置以及具备该光电转换装置的显示面板。
背景技术
已知一种在绝缘基板、特别是透明基板上形成光电转换元件的装置。日本公开专利平6-236980号公报中公开的构成为:在光电转换部,邻接配置多个使用了非晶硅(以下简称为a-Si)的薄膜晶体管型光电转换元件(以下简称为TFT型光电转换元件)。
图8是表示一般的a-SiTFT型光电转换元件的光-电特性的一例的图,在沟道宽度/沟道长度(W/L)=180000/9(μm)、源极电压Vs=0(V)、漏极电压Vd=10(V)的条件下,对将照射光的照度作为参数时的漏-源极间电流Ids(A)进行了测定。
根据该图可知,漏-源极间电流Ids根据照度增大。特别是,在照度增大的情况下,在栅-源极间电压为负(Vgs<0)的反向偏置区域中的漏-源极间电流Ids显著增大,通常,利用该区域的特性,而使用将照射光的照度检测作为漏-源极间电流Ids的变化的光电转换元件。
并且,图9是表示利用了这种TFT型光电转换元件10的光电转换装置的结构的一例的图。
TFT型光电转换元件10包括:栅电极14,形成在透明的TFT基板12上;透明绝缘膜16,形成在该栅电极14上;光电转换部18,由a-Si构成,与上述栅极14相对地形成在该绝缘膜16上;源电极20和漏电极21,形成在上述光电转换部18上。并且,通过透明的绝缘膜17覆盖这种TFT型光电转换元件10的上面,并在间隔部23设置未图示的密封部件和间隔件而确保规定的距离,之后在其上面设置透明的相对基板22,由此构成光电转换装置。
另外,上述规定的距离为,根据邻接配置的TFT型光电转换元件10之间的间隔、和构成光电转换装置的其它各部件的折射率等确定。即,确定上述规定的距离,以使由a-Si构成的光电转换部18能够正确地对反射光30进行光电转换,该反射光30是由载放在上述相对基板22上的对象物、例如手指28,对从配置在上述TFT基板12的背面侧的背光源24、通过上述邻接的TFT型光电转换元件10之间而照射到上述相对基板22侧的背光26进行反射而形成的。
在这种构成的光电转换装置中,光电转换部18对由手指28(注:准确地说是形成手指的指纹的凹部,但是图示省略了指纹的凹部)反射的背光26、即反射光30进行光电转换,由此识别手指28的指纹形状。
但是,在上述那样的现有的光电转换装置中,在来自外部的入射光(主要是日光)的亮度超过或等于背光26的亮度时,不能识别是来自外部的入射光还是背光的反射光。即,在相对基板22上没有载放手指28时,因为外部光直接入射到TFT型光电转换元件10的光电转换部18上,所以与在放置有手指的状态下、背光26由手指反射而入射到TFT型光电转换元件10的光电转换部18上时相比没有任何变化。因此,不能识别反射光这样的信号光和日光这样的外部光,在对载放有手指等对象物的情况进行识别而发出控制信号的触摸面板等中不能使用。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而进行的,其目的是提供一种光电转换装置以及具备该光电转换装置的显示面板,该光电转换装置,即使在来自外部的入射光的亮度超过或等于背光26的亮度的情况下,也能够识别载放有对象物的情况。
为了解决上述问题,本发明的光电转换装置为,具备:光电转换元件阵列,具有第1区域A1和第2区域A2,在第1区域A1配置有具有光电转换部18的第1光电转换元件100-1,在第2区域A2配置有具有光电转换部18的第2光电转换元件100-2;以及,光出射部件24,配置在上述光电转换元件阵列的下面侧,朝向上述光电转换元件阵列侧出射光26。在上述光电转换元件阵列的上面侧设置有载放有对象物28的载放层22,该对象物28将从光出射部件24朝向上述光电转换元件阵列侧出射的光26,反射到上述第1光电转换元件100-1和上述第2光电转换元件100-2侧。在上述第1光电转换元件100-1的光电转换部18和上述光出射部件24之间设置有第1遮光层14,在上述第2光电转换元件的光电转换部和上述光出射部件24之间设置有面积比上述第1遮光层大的第2遮光层15,通过该结构,从上述光出射部件24朝向上述光电转换元件阵列侧出射的光26,透射上述第1区域A1的光量比透射上述第2区域A2的光量多。
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