[发明专利]一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，且特别涉及一种金属沉积后薄膜内粒子(in film particle)的重新加工方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，在金属沉积过程中会因为机台或者环境异常产生薄膜内粒子。按照目前的做法，当薄膜中的粒子率(particle ratio)超过一定标准时，整个晶片就需要报废。显然的，这会使的产品的合格率下降，从而增加单个成品的成本。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺点，本发明提出了一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法。

本发明的一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法，包括下列步骤：

步骤1，通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层；

步骤2，通过化学机械研磨(CMP)机台研磨经步骤1后剩余的金属薄膜层和粒子，将其一起除去；

步骤3，重新沉积金属薄膜层及各相关层，该重新沉积过程可以按照正常的流程进行。

上述步骤1中蚀刻的时间可以是预先固定的。

经上述步骤1蚀刻后，剩余的金属薄膜层的厚度例如可以为1000埃左右。

上述金属薄膜层例如可以为铝层，上述化学机械研磨机台可以为钨化学机械研磨(WCMP)机台。

通过本发明的方法，可使得达到报废标准的晶片的粒子率恢复到正常水平，从而减少报废，提升产品的合格率。而将上述方法分为蚀刻和钨化学机械研磨两个步骤，可以减少重新加工的费用。

附图说明

图1为沉积金属薄膜后具有薄膜内粒子的晶片的示意图；

图2为标示出图1中的晶片的蚀刻区域的示意图；

图3为图1中具有薄膜内粒子的晶片经蚀刻后的示意图；

图4为图3中的晶片经化学机械研磨去除金属薄膜层后的示意图；

图5为图4中的晶片重新沉积金属薄膜层后的示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。对于所属技术领域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显而易见。

下面以图1所示的晶片为例说明本发明的方法，图1中的晶片包括硅底层10，硅底层10之上的SiO₂层20、SiO₂层20中具有若干钨塞21，SiO₂层20之上的金属Al层30、在该金属Al层30中具有若干粒子31。

当检测得该粒子31在金属Al层30中的比率超过一定标准时，可以使用本发明的方法使其粒子率恢复至正常水平。

首先，通过金属蚀刻机台对上述含有粒子31的金属Al层30进行蚀刻。例如，固定时间，蚀刻至剩余1000埃(A)金属Al层30。该蚀刻时间可以通过下列方法计算得到：

蚀刻时间＝(金属Al层的厚度-1000A)/蚀刻率

图2中虚线框41圈出了欲蚀刻掉的金属Al层30的范围，图3示出了蚀刻后的晶片示意图，图中剩余的金属Al层30的厚度为1000A，粒子31仍然附着在金属Al层30之上。

接着，可以通过钨化学机械研磨(WCMP)机台进行研磨，将剩余金属Al层30连同其上的粒子31一起去除，研磨完毕后的晶片如图4所示。

然后，研磨后晶片可重新进入Al溅镀机台按照正常流程沉积金属Al及前后各相关层，重新沉积铝层39之后的晶片如图5所示。

通过以上方法，可以使因粒子率超过一定标准而欲报废的晶片的粒子率恢复至正常水平，从而提高产品的合格率。

虽然，本发明已通过以上实施例及其附图而清楚说明，然而在不背离本发明精神及其实质的情况下，所属技术领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的变化和修正，但这些相应的变化和修正都应属于本发明的权利要求的保护范围。