[发明专利]真空灭弧室有效
| 申请号： | 200810087599.1 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101290846A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李在杰 | 申请（专利权）人： | LS产电株式会社 |
| 主分类号： | H01H33/664 | 分类号： | H01H33/664 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱梅;徐志明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 灭弧室 | ||
1.一种真空灭弧室，其特征在于，包括，
陶瓷绝缘外壳，所述陶瓷绝缘外壳具备与外侧相连的上部导体和与外侧相连的下部导体；在所述绝缘外壳的外表面成形的釉层；在所述釉层的外表面涂布硅烷偶联剂而形成的硅烷偶联剂层；在所述硅烷偶联剂层的外表面成形的环氧树脂绝缘层，
所述硅烷偶联剂层与所述釉层以及所述环氧树脂绝缘层进行化学结合。
2.一种真空灭弧室，其特征在于，包括，
陶瓷绝缘外壳，所述陶瓷绝缘外壳具备与外侧相连的上部导体和与外侧相连的下部导体；在所述绝缘外壳的外表面成形的釉层；对所述釉层的外表面进行喷砂处理而形成的突起层；在所述突起层的外表面涂布硅烷偶联剂而形成的硅烷偶联剂层；在所述硅烷偶联剂层的外表面成形的环氧树脂绝缘层，
所述硅烷偶联剂层与所述釉层以及所述环氧树脂绝缘层进行化学结合。
3.根据权利要求1或2所述的真空灭弧室，其特征在于，在所述陶瓷绝缘外壳的所述上部导体以及下部导体的外表面上，涂布所述硅烷偶联剂。
4.根据权利要求1或2所述的真空灭弧室，其特征在于，所述硅烷偶联剂是用以下的化学式1表示的化合物，
[化学式1]
R-(CH2)n-Si-X3
在所述化学式1中，R为具有反应基的、碳数为1～15的脂肪族或芳香族的烃基；n是1～10的整数；X是碳数为1～15的脂肪族或芳香族的烷氧基。
5.根据权利要求1或2所述的真空灭弧室，其特征在于，所述环氧树脂绝缘层含有作为尺寸稳定剂的二氧化硅。
6.一种真空灭弧室的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
准备陶瓷绝缘外壳的工序；
在所述陶瓷绝缘外壳的外表面进行釉处理，从而形成釉层的工序；
在所述釉层的外表面上涂布硅烷偶联剂，从而形成硅烷偶联剂层的工序；
在所述硅烷偶联剂层的外表面上，成形环氧树脂绝缘层的工序。
7.一种真空灭弧室的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
准备陶瓷绝缘外壳的工序；
在所述陶瓷绝缘外壳的外表面进行釉处理，从而形成釉层的工序；
对所述釉层的外表面进行喷砂处理，从而形成突起层的工序；
在所述突起层的外表面上涂布硅烷偶联剂，从而形成硅烷偶联剂层的工序；
在所述硅烷偶联剂层的外表面上，成形环氧树脂绝缘层的工序。
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