[发明专利]显示器及其像素电路有效

专利信息
申请号: 200810087232.X 申请日: 2008-03-24
公开(公告)号: CN101290741A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 邱郁文 申请(专利权)人: 奇景光电股份有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G09G3/32
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 显示器 及其 像素 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示器装置的领域,尤其是涉及一个显示器的像素电路。

背景技术

显示装置几乎在每一个电子装置中都会构成功能模块的一部分,以及在人机接口中扮演一个重要的角色。该显示装置协助使用者读取该电子装置的信息,同时更进一步控制该电子装置的操作。随着新一代显示装置持续的发展,所述显示器变得更薄更轻。显示器科技已经由传统的阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)进步到平面显示装置,例如,液晶显示器(liquidcrystal display,LCD)或是有机发光显示器(organic light emittingdevice,OLED),都是利用光电子和半导体制造技术的优点。

此外,有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器技术已经吸引了许多的注意以及密集的研究。有源矩阵有机发光二极管利用,例如,薄膜晶体管的技术,以驱动该有机发光二极管。有源矩阵有机发光二极管显示器传统上包含,一网状的扫描线和数据线以定义一由像素所构成的阵列,每一像素包含一发光装置。该发光装置通常由伴随该像素的像素电路所驱动。为了控制每一个别的像素,一特定的像素通常经由一扫描线和一数据线所选取,以及提供一适当的操作电压,以显示对应至该像素的显示信息。

图1是描述一传统有源矩阵有机发光二极管的2T1C(每一像素包含,二个晶体管和一个电容器)像素电路的概要图。

如图1所示,该像素电路包含一数据晶体管11,一驱动晶体管12,一储存电容器13,以及一发光装置14。所述晶体管可以是任何型态的晶体管,例如,一薄膜晶体管或是类似的晶体管。例如,在随后的描述中,该数据晶体管11可以是一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,以及该驱动晶体管12可以是一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。该数据晶体管11具有一栅极电极连接至一扫描线,以及一第一源极/漏极电极连接至一数据线。该驱动晶体管12具有一栅极电极连接至该数据晶体管11的一第二源极/漏极电极,以及一第一源极/漏极电极连接至一电压源VDD。该储存电容器13连接至该驱动晶体管12的该栅极和该驱动晶体管12的该第一源极/漏极之间。该发光装置14具有一阳极电极连接至该驱动晶体管12的一第二源极/漏极电极,以及一阴极电极连接至一接地电平。

在操作期间,一高电压电平扫描信号导通该数据晶体管11,使得该数据信号对储存电容器13充电。储存在电容器13中的电压电平,决定流经该驱动晶体管12的电流大小,使得该发光装置可以依据该电流发射光线。如同上述所提及的传统的驱动方法,该驱动晶体管12以及该发光装置14,在程序化和显示阶段,一直都保持在导通的状态。因此,产生发光装置14驱动电压的偏离,其影响显示的质量。

然而,由于传统像素电路的缺点,是很不容易将一显示器的照明度维持在一恒定值。(1)由于电源线自电压源VDD延伸至该驱动晶体管12,其电压降导致在程序化阶段该储存电容器13的储存电压位能可能不正确。在程序化阶段,该储存电容器13的电压位能=是由该数据线和该驱动晶体管12的该第一源极/漏极电极的电压差所决定,该电极连接至该电压源VDD。因为在该驱动晶体管12的该第一源极/漏极电极的该电压,会在不同像素电路间改变,所以储存在该储存电容器13的电压位能可能会不正确。(2)当该数据晶体管11被关闭时可能会发生时钟馈通效应(clock feed-through effect),使得该储存电容器13的电压位能被改变。

因此,需要一种替代的2T1C像素电路设计,可以用来解决或改善上述所提及的缺点。

发明内容

本发明披露一改良的像素电路的系统,方法,以及装置。为了克服传统方法的缺点,本发明提出一改良的2T1C像素驱动电路,其具有一新的电路结构和信号切断的功能。

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