[发明专利]基板处理系统和基板清洗装置

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理系统和基板清洗装置，并且涉及具有除去附着在基板背面或周缘部的异物的基板清洗装置的基板处理系统。

背景技术

通常，在对作为基板的半导体晶片(以下简单地称“晶片”)进行规定处理的基板处理装置中，产生由晶片与放置该晶片的载置台接触而引起的金属片(例如铝金属片)或由处理气体反应引起的反应生成物(例如碳氟化合物的聚合物)等。这些异物(颗粒)附着在晶片上，使在该晶片表面上形成的半导体器件的品质降低。

作为除去附着在晶片上的颗粒的方法，已知有湿式清洗方法，即，在湿式处理室中，利用氟酸溶液或纯水对经过蚀刻处理的晶片进行水洗(参照专利文献1)。另外，还已知有将多个晶片浸渍在充满氨水或氟酸溶液等清洗液的清洗槽中的清洗方法。利用这些方法，能够除去在蚀刻处理中附着在晶片上的颗粒。

专利文献1：日本特开平4-14222号公报。

然而，利用上述湿式清洗方法，由于主要是向晶片的表面喷射纯水等，所以不能除去附着在晶片背面的颗粒以及附着在晶片周缘部(倾斜(bevel)部分)上的倾斜聚合物(bevel polymer：斜面聚合物)。

对于附着在晶片背面的颗粒而言，当将晶片放置在载置台上时，其会导致该晶片浮起，因此，在对涂敷于晶片表面的光致抗蚀剂进行曝光的平版印刷工序中，焦点位置与光致抗蚀剂的位置不一致，不能正确地进行曝光。另外，在液浸曝光装置中，当相对于透镜移动晶片时，晶片周缘部的倾斜聚合物在介于晶片和透镜之间的超纯水中通过。这时，倾斜聚合物剥离并混在超纯水中，由于该倾斜聚合物会遮挡光，因此不能正确地进行曝光。另外，在该平版印刷工序前，在晶片周缘部上形成的光致抗蚀剂残渣残留下来，该光致抗蚀剂残渣与倾斜聚合物相同，混在超纯水中。其结果，存在基于该晶片制造的半导体器件的品质降低的问题。

另外，将进行蚀刻处理的晶片收容在互相平行保持多个晶片的密闭容器(例如前端开口统一容器(FOUP：晶圆传送盒))中搬送，但是，在该FOUP内，异物(颗粒、聚合物)从位于上方的晶片背面或周缘部剥离，落在位于下方的晶片表面并附着在其上，使得基于该下方晶片制造的半导体器件的品质降低。

另外，利用将多个晶片浸渍在上述清洗槽中的方法，不仅能够除去晶片表面的颗粒，而且晶片背面的颗粒以及晶片周缘部的倾斜聚合物也能够被除去，但由于除去的颗粒留在清洗液中，该颗粒有可能再附着在晶片上(交叉污染)，使半导体器件的品质降低。

另外，在上述的湿式清洗方法中，即使假设除去晶片背面的颗粒和倾斜聚合物，但由于不能控制湿式清洗的纯水的流动，使得除去的颗粒等邻近正在被湿式清洗的晶片，例如有可能再附着在同时进行湿式清洗的晶片表面上，从而使半导体器件的品质降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够完全除去附着在基板背面或周缘部的异物的基板处理系统和基板清洗装置。

为了实现上述目的，本发明第一方面所述的一种基板处理系统，它具有在基板上进行规定处理的基板处理装置和至少在上述规定处理前后的任一个中对上述基板进行清洗的基板清洗装置，其特征在于：上述基板清洗装置具有向着上述基板的背面或周缘部喷出呈气相和液相的二个相状态的清洗物质和高温气体的喷出装置。

本发明第二方面所述的基板处理系统，其特征在于：在本发明第一方面所述的基板处理系统中，上述喷出装置相对于上述基板的背面倾斜地喷出上述清洗物质和上述高温气体。

本发明第三方面所述的基板处理系统，其特征在于：在本发明第一或第二方面所述的基板处理系统中，上述喷出装置和上述基板互相平行并且相对地移动。

本发明第四方面所述的基板处理系统，其特征在于：在本发明第一至第三方面中任一方面所述的基板处理系统中，上述喷出装置具有向着上述基板背面开口的吸气部。

本发明第五方面所述的基板处理系统，其特征在于：在本发明第一至第四方面中任一方面所述的基板处理系统中，上述基板清洗装置具有向着上述基板的表面喷出其它气体的其它喷出装置。

本发明第六方面所述的基板处理系统，其特征在于：在本发明第一至第五方面中任一方面所述的基板处理系统中，上述基板清洗装置具有保持上述基板的保持装置。

本发明第七方面所述的基板处理系统，其特征在于：在本发明第六方面所述的基板处理系统中，上述保持装置使上述基板反转。

本发明第八方面所述的基板处理系统，其特征在于：在本发明第六或第七方面所述的基板处理系统中，上述基板清洗装置具有对上述保持装置施加振动的振动施加装置。