[发明专利]载置台的表面处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种其上安装基片的载置台的表面处理方法，更具体地，涉及到一种基片处理设备的载置台的表面处理方法，该载置台处理设备通过等离子体在基片上进行处理。

背景技术

在作为基片的晶片上进行等离子体处理的基片处理设备中有一个容纳晶片的容纳室，和设置在容纳室中的载置台，而晶片被安装在该载置台上。在这样的基片处理设备中，在容纳室中产生等离子体，且等离子对晶片进行等离子体处理。

载置台由铝制成，并且在载置台的上表面上形成由例如氧化铝的陶瓷制成的热喷涂膜。被施加直流电压的静电电极板埋在热喷涂膜里。

当晶片被安装在载置台上时，将高压直流电压提供至静电电极板，则在静电电极板和晶片的后表面之间产生电势差，因此，由于这种电势差产生的库仑力将晶片吸附在载置台上。也就是说，载置台用作静电卡盘。

载置台安装在基本圆柱形的基座上。基座中有冷却室，在等离子体处理过程中，冷却室里的冷却剂对吸附到载置台的晶片进行冷却。

使用通过将研磨颗粒压制在一起形成圆盘形状而得到的磨石，对载置台上的热喷涂膜进行研磨。然而，虽然在宏观上看起来是平滑的，但在微观下，热喷涂膜的表面(安装表面)仍然是粗糙的。

如果使用具有研磨安装表面的载置台在晶片与晶片的基础上，对大量的晶片进行等离子体处理，则每次更换晶片，晶片和安装表面都互相摩擦，这样引起安装表面在微观下的粗糙程度发生变化。也就是说，如果大量的晶片受到等离子体处理，那么微观观察到的安装表面就会变得平滑。如果安装表面变得平滑，在晶片和安装表面之间的接触面积扩大，或者通过扩大基座，因此可以提高从晶片向安装表面热传导的效率。结果，在大量晶片被等离子体处理之后，晶片的温度要低于在大量晶片被等离子体处理之前的晶片的温度。因为等离子体处理受到晶片温度的影响，因此在大量的晶片上进行等离子体处理的处理结果不能够保持一致。

此外，本发明的发明者确定，当等离子体处理已经在一定数量的晶片(例如，与正常等离子体处理中提供射频电力累计时间段的3000小时相对应的晶片数量)上进行时，等离子体处理达到饱和引起安装表面微观下的粗糙程度的变化。

为了减少载置台安装表面这样的微观下粗糙程度的变化，已经开发出一种载置台表面处理方法，在这种方法中，用使用磨石研磨，精研板精研，及带状精研装置精研这种顺序对安装表面进行研磨，因此当从微观地观察时安装表面能够变得平滑(例如，参见日本专利公开(Kokai)号2007-258240)。

然而，上文中说明的表面处理方法需要大量的处理设备(磨石、精研板及带状精研装置)和大量的步骤。因此，上文中说明的表面处理方法需要大量的时间和精力，因此不易使用。此外，磨石、精研板及带状精研装置与安装表面接触的形式，与晶片和安装表面接触的形式是不同的。因此，使用上文中说明的表面处理方法的载置台的安装表面是不太可能与晶片相符合的。

发明内容

本发明提供了载置台的表面处理方法，这种方法能够使安装表面与将形成的基片相符合，并且节省了时间和精力。

因此，在本发明中，为载置台提供出了一种表面处理方法，该载置台设置在对基片进行等离子体处理的基片处理设备的容纳室中，且具有安装所述基片的安装表面，所述载置台的表面处理方法包括使所安装的基片热膨胀的膨胀步骤。

根据本发明，因为安装在载置台的安装表面上的基片受热膨胀，基片的接触表面与安装表面互相摩擦，因此当微观地观察时安装表面变得平滑。因为仅使用了基片，节省了时间和精力，同样也因为，使用基片使安装表面变得平滑，所以可形成与基片相符合的安装表面。

本发明提供的载置台的表面处理方法，其中基片的热膨胀系数与载置台的热膨胀系数不同。

根据本发明，因为基片的热膨胀系数与载置台的热膨胀系数不同，当基片受热膨胀时，基片的接触表面和安装表面能够强烈地互相摩擦。

本发明提供的载置台的表面处理方法，其中所述基片处理设备包括将处理气流引入所述容纳室的气体引导装置，还包括向所述容纳室提供射频电力的电极，且在所述膨胀步骤中，所提供的射频电力将所述处理气体转变成等离子体，且该等离子体对所述基片加热。

根据本发明，因为等离子体对基片加热，所以加热基片就很容易。此外因为气体引导装置和电极是使用等离子体的基片处理设备的基本组件，从而没有必要为了膨胀基片而提供任何特殊的装置。

本发明提供了载置台的表面处理方法，其中在膨胀步骤中，提供出所述电极所能提供的最大量的射频电力。