[发明专利]高频继电器、高频模块以及适配基板有效
申请号: | 200810086437.6 | 申请日: | 2008-03-14 |
公开(公告)号: | CN101373683A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 荒谷达生;角屋贤二 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H01H50/14 | 分类号: | H01H50/14 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 孙敬国;张惠萍 |
地址: | 日本国大阪府*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 继电器 模块 以及 适配基板 | ||
技术领域
本发明涉及用于手机的无线中继设备等的高频继电器、高频模块以及适配基板。
背景技术
上述高频继电器,以日本实用新型公报实公平7-24769号公报(以下称为“专利文献1”)为首,已有多个方案业已提出。在其中,图22是表示其高频继电器1的典型的结构的分解立体图。此高频继电器1基本上是通过触点机构11和驱动此触点机构11的驱动机构21并行排列配置而成。触点机构11在屏蔽箱(shield box)12内设置有可动触点13、14,其可动触点13、14通过驱动机构21驱动而在参照符号X方向位移,与固定触点15、16或固定触点16、17接触/分离,进行高频信号的切换。从而构成以可动触点13、14为中心导体、以屏蔽箱12为外部导体的同轴线路。上述可动触点13、14分别保持在通过驱动机构21而被位移驱动的驱动部件18、19上。上述各固定触点15、16、17以在屏蔽箱12内被电绝缘的状态直立设置,从基台20的背面伸出,作为端子P1、P2、P3。
中央的固定触点16(端子P2)为与可动触点13、14的任何一个都接触的共同触点。另一方面,两端的固定触点15、17(端子P1、P3)为分别只与上述可动触点13、14接触的个别触点。并且,固定触点15为在驱动机构21不驱动时可动触点13与其接触并与固定触点16连接的正常接触(normally contact)(NC)的触点,固定触点17为在驱动机构21不驱动时可动触点14与其分离并从固定触点16断开的正常切断(normally off)(NO)的触点。在上述各固定触点15、16、17(端子P1、P2、P3)之间设置有接地端子P4、P5。
上述驱动机构21包括电磁体22和位移部件23。电磁体22,其铁芯26穿过被围绕在线圈24上的线圈架25,并设置有在其铁芯26的一个端部和另一个端部之间形成磁路的磁轭27。上述线圈24的各端部分别与从外部被提供有励磁电流的端子P6、P7连接。
另一方面,上述位移部件23包括:介于上述驱动部件18、19支撑可动触点13、14的插件(card)(支撑部件)31;设置在上述插件(支撑部件)31的一端的磁体32;分别与其磁体32的两端接触并夹住上述铁芯26的一对衔铁(armature)33、34;从上述插件(支撑部件)31的另一端延伸的一对平衡弹簧35、36;将其平衡弹簧35、36的另一端安装到上 述基台20上的平衡弹簧保持板37。因此,通过上述电磁体22的消磁/励磁,插件(支撑部件)31通过平衡弹簧35、36部分变形而在上述X方向位移,从而位移驱动上述可动触点13、14。在上述基台20内收纳上述固定触点15、16、17,屏蔽箱12以及电磁体22,并在电磁体22上装载位移部件23之后,盖上框体38。
如上所述而构成的高频继电器1,例如在上述手机的无线中继设备等中,被称为电力合成·分配转换器(power switchable·conbiner·divider),可将信号分枝并输入到多个放大器(amplifier),在各自被电力放大之后,合成来自各放大器的信号,被用于作为高频模块的分配器·合成器,在任何放大器出现故障或维护等时为了切断而被使用。因此,例如,在将360°的放射方向按60°分割,设置六台天线的情况下,这种大型电源开关·合成器·分配器至少也得设置6台,为了使中继单元小型化,上述高频继电器1也必须小型化。除了上述无线中继设备以外,在测量设备等使用多个高频继电器1的用途中也相同。
然而,如果高频继电器小型化,则存在难以获得所期望的阻抗这样的问题。例如,在将作为目标的阻抗设定为适应上述无线中继设备的50Ω的情况下,图23所示的各部的阻抗则如图24所示。图24是表示图23所示的高频继电器1的时间·区域·反射特性(time domainreflect character)的图表。即,一般情况下,没有被屏蔽板围住的端子部分阻抗变大,使各部分与作为目标的阻抗匹配存在困难,实际情况则是使全体与作为上述目标的阻抗相匹配。因此,对于各部分,会出现产生偏离作为上述目标的阻抗的问题。
另一方面,在将具有同样结构的高频继电器1用于电视接收机的天线输入切换时,应设定的阻抗为75Ω,变更上述屏蔽箱12的形状等零部件交换则成为必要。
作为减轻此问题的其它的以往技术,例如,有日本专利公开公报特开平11-273529号公报(以下称为“专利文献2”)。在专利文献2的以往技术中,在基座上形成的作为固定共同触点的信号线和在其周围形成的GND图案之间形成沟,通过调整沟的宽度及深度,来实现较高阻抗间的匹配。
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