[发明专利]固体摄像装置以及利用该固体摄像装置的摄像机

权利要求书

1.一种固体摄像装置，包括在半导体衬底上被配置为矩阵状的多个单位像素，其特征在于，

所述多个单位像素包括两种单位像素，即在所述半导体衬底的共用的阱的上部形成的第一单位像素以及第二单位像素；

所述第一单位像素包括：

至少一个光电转换区域，将光转换为信号电荷；

第一半导体区域，被形成在所述共用的阱上，且与所述共用的阱的导电型相同；以及

第一接点，与所述第一半导体区域电连接；

所述第二单位像素包括：

至少一个光电转换区域，将光转换为信号电荷；

第二半导体区域，被形成在所述共用的阱上，且与所述共用的阱的导电型相反；以及

第二接点，与所述第二半导体区域电连接。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第一接点与具有基准电压的布线相连接，所述基准电压成为所述共用的阱的电位的基准；

所述第二接点与另一布线相连接，该另一布线具有与所述基准电压不同的、正的电压。

3.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第一单位像素以及所述第二单位像素在行方向或列方向上的配置具有周期性。

4.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第一单位像素和所述第二单位像素在行方向以及列方向上的配置具有周期性。

5.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第一半导体区域是被注入了p型杂质的区域，所述第二半导体区域是被注入了n型杂质的区域。

6.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第一单位像素以及所述第二单位像素至少有一方进一步具有，用于输出来自光电转换区域的信号电荷的放大晶体管以及复位晶体管。

7.如权利要求6所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第一单位像素进一步具有至少一个假布线；

所述至少一个假布线的形状与所述第一单位像素内的所述放大晶体管的栅电极或所述复位晶体管的栅电极相同；

所述假布线和所述第一单位像素内的所述光电转换区域的相对位置，与所述栅电极和所述第一单位像素内的所述光电转换区域的相对位置相同。

8.如权利要求6所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第二单位像素进一步具有至少一个假布线；

所述至少一个假布线的形状与所述第二单位像素内的所述放大晶体管的栅电极或所述复位晶体管的栅电极相同；

所述假布线和所述第二单位像素内的所述光电转换区域的相对位置，与所述栅电极和所述第二单位像素内的所述光电转换区域的相对位置相同。

9.如权利要求6所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第一单位像素进一步具有两个假布线；

所述两个假布线的形状与所述第一单位像素内的所述放大晶体管的栅电极以及所述复位晶体管的栅电极相同；

所述两个假布线和所述第一单位像素内的所述光电转换区域的相对位置，与所述栅电极和所述第一单位像素内的所述光电转换区域的相对位置相同；

所述第一半导体区域在所述两个假布线之间；

所述第一单位像素进一步包括：

第一区域，与所述两个假布线中的一个相邻，并被形成在所述共用的阱上；

第二区域，与所述两个假布线中的另一个相邻，并被形成在所述共用的阱上；

第三接点，与所述第一区域电连接；以及

第四接点，与所述第二区域电连接。

10.如权利要求9所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第一区域以及第二区域的导电型与所述第一半导体区域相反；

所述第三接点以及所述第四接点与所述第二接点电连接。

11.如权利要求9所述的固体摄像装置，其特征在于，

所述第一区域以及所述第二区域的导电型与所述第一半导体区域相同；

所述第三接点以及所述第四接点与所述第一接点电连接。