[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，包括：

在半导体衬底的第一表面形成至少一柱电极，其中每一柱电极包括两个以上柱状物的阵列，该柱电极电连接至所述半导体衬底的线路层；

沉积缓冲层于所述第一表面上，所述缓冲层密封所述阵列；

移除部分的所述缓冲层，而使所述柱电极的上表面低于残余的所述缓冲层的上表面；

沉积导电覆盖层于所述柱电极的上表面上，其中所述导电覆盖层低于残余的所述缓冲层的上表面；以及

放置焊球于所述导电覆盖层上，其中所述焊球与所述导电覆盖层之间的焊接点低于残余的所述缓冲层的上表面。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，还包括沉积至少一个重分布层于所述半导体衬底的所述第一表面上，其中所述重分布层提供所述柱电极与所述线路层之间的电连接。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述半导体衬底包括：

保护层，沉积于半导体衬底层上，其中所述保护层的上表面包括所述第一表面；以及

电路层，位于所述半导体衬底层的有源区中，其中所述电路层电连接至所述线路层。

4.如权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其中所述半导体衬底还包括高分子绝缘层，沉积于所述保护层上，其中所述高分子绝缘层的上侧成为所述半导体衬底的所述第一表面。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述移除步骤包括移除部分的所述缓冲层及部分的所述柱电极，其中部分的所述柱电极的移除包括蚀刻所述柱电极以及研磨所述柱电极。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述移除步骤不使用光致抗蚀剂层。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述导电覆盖层的沉积包括通过无电电镀。

8.一种半导体元件的制造方法，包括：

形成多个电极于半导体衬底的第一表面上，其中所述多个电极凸出所述第一表面；

将材料镀至所述多个电极上；

沉积缓冲层于所述第一表面上，所述多个电极延伸穿过所述缓冲层；

选择性蚀刻所述缓冲层以使所述多个电极的上表面低于残余的所述缓冲层的上表面；以及

放置焊球于每一电极上，其中所述焊球与所述多个电极之间的接点低于所述缓冲层的所述上表面，及其中所述焊球通过所述材料及所述多个电极电连接至所述半导体衬底的线路层。

9.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，还包括沉积至少一个重分布层于所述半导体衬底的所述第一表面上，其中所述重分布层提供所述多个电极与所述线路层之间的电连接。

10.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中所述半导体衬底包括：

保护层，沉积于半导体衬底层上，其中所述保护层的上表面包括所述第一表面；以及

电路层，位于所述半导体衬底层的有源区中，其中所述电路层电连接至所述线路层。

11.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其中所述半导体衬底还包括高分子绝缘层，沉积于所述保护层上，其中所述高分子绝缘层的上侧成为所述半导体衬底的所述第一表面。

12.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中所述选择性蚀刻步骤不使用光致抗蚀剂层。

13.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中所述多个电极的形成包括形成两个以上柱状物的阵列于所述多个电极上，并连接至所述导线层的第一端。