[发明专利]具缓冲层的晶圆结构有效
申请号: | 200810086110.9 | 申请日: | 2008-03-11 |
公开(公告)号: | CN101252106A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 黄泰源;陈知行 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 台湾省高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缓冲 结构 | ||
1.一种具缓冲层的晶圆结构,包含:一晶圆、一保护层及一凸块下金属 层,其中所述晶圆包含至少一焊垫;所述保护层设置于所述晶圆上,且暴露 出所述焊垫;其特征在于:所述具缓冲层的晶圆结构还包含有一设置于所述 保护层上的外缓冲层及一设置于所述焊垫上的内缓冲层,所述内缓冲层的上 方表面突出于所述外缓冲层的上方,并且所述内缓冲层的下方表面低出于所 述外缓冲层的下方;所述凸块下金属层设置于所述内缓冲层上,并且覆盖所 述内缓冲层,及覆盖部分所述外缓冲层;所述焊垫材料及所述内缓冲层的材 料均为铝;所述内缓冲层的厚度至少大于3微米。
2.如权利要求1所述的具缓冲层的晶圆结构,其特征在于:所述外缓冲 层覆盖部分所述保护层,所述内缓冲层还覆盖部分所述保护层。
3.如权利要求1所述的具缓冲层的晶圆结构,其特征在于:所述外缓冲 层完全覆盖所述保护层,所述内缓冲层不覆盖所述保护层。
4.如权利要求2或3所述的具缓冲层的晶圆结构,其特征在于:所述内缓 冲层还覆盖部分所述外缓冲层。
5.如权利要求1所述的具缓冲层的晶圆结构,其特征在于:所述内缓冲 层不覆盖所述外缓冲层。
6.如权利要求1所述的具缓冲层的晶圆结构,其特征在于:所述凸块下 金属层的材料选自由镍、金、钯、钛、钒构成的组合及这些材料的合金。
7.如权利要求1所述的具缓冲层的晶圆结构,其特征在于:所述保护层 覆盖部分焊垫。
8.如权利要求1所述的具缓冲层的晶圆结构,其特征在于:所述内缓冲 层是以无电电镀的方式制成。
9.如权利要求1所述的具缓冲层的晶圆结构,其特征在于:所述外缓冲 层的材料为聚亚酰胺。
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