[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造图像传感器的方法，包含：

形成包括第一转移晶体管的第一单位像素；

形成包括第二驱动晶体管的第二单位像素；以及

形成电连接所述第一单位像素的浮置扩散区域与所述第二单位像素的所述第二驱动晶体管的触点，

其中，所述形成所述触点的步骤是与所述形成所述第一单位像素与形成所述第二单位像素的步骤同时处理的，

其中，所述形成所述触点的步骤包含：

在第一单位像素区域和第二单位像素区域上方形成第一绝缘体；

通过选择性去除所述第一单位像素区域的浮置区域上方的所述第一绝缘体而形成第一接触孔；以及

通过填充所述第一接触孔而形成电连接第二驱动晶体管的触点。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述触点的步骤包含：

在所述第一接触孔和所述第一绝缘体之上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案选择性地暴露出晶体管区域和触点区域的多晶硅层；以及

通过使用所述第二光刻胶图案作为蚀刻掩模而选择性蚀刻已暴露出的多晶硅层和所述第一绝缘体，同时形成所述第一转移晶体管的栅极、所述第二驱动晶体管的栅极和所述触点。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一接触孔具有小于所述第一转移晶体管的栅极的水平宽度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述触点进一步包含在所述触点的底部与形成有所述第一单位像素的基板之间形成的下绝缘体。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一接触孔具有与所述第一转移晶体管的栅极基本上相同的水平宽度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述触点包含多晶硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一单位像素为主像素，而所述第二单位像素为伪像素。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述触点形成为与所述第二驱动晶体管的侧壁接触。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述触点形成为与所述第二驱动晶体管的顶侧接触。

10.一种制造图像传感器的方法，包含：

形成包括第一转移晶体管的第一单位像素；

形成包括第二驱动晶体管的第二单位像素；以及

形成电连接所述第一单位像素的浮置扩散区域与所述第二单位像素的所述第二驱动晶体管的触点，

其中，所述形成所述触点的步骤是在形成所述第一单位像素和形成所述第二单位像素的步骤之后进行处理的，

其中，所述形成所述触点的步骤包含：

在所述第一单位像素和所述第二单位像素上方形成金属层间介电层；

通过选择性去除所述第一单位像素的浮置区域上方的所述金属层间介电层而形成第二接触孔；以及

通过填充所述第二接触孔而形成电连接第二驱动晶体管的触点。