[发明专利]提供精准低于1伏特的能隙参考电路

权利要求书

1.一种电路，包含：

第一PMOS装置，具有第一源极、第一栅极和第一漏极，其中所述第一源极耦合至供电节点；

第二PMOS装置，具有第二源极、第二栅极和第二漏极，其中所述第二源极耦合至所述供电节点，且其中所述第一PMOS装置和所述第二PMOS装置具有固定的源极-漏极电流；

第三PMOS装置，具有第三源极、第三栅极和第三漏极，其中所述第三源极耦合至所述供电节点，且其中所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极互连，且所述第一漏极、所述第二漏极和所述第三漏极虚拟互连；以及

第一电阻器，耦合在所述第三漏极与接地之间。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，通过第一二极管和第一电阻器，所述第一漏极耦合至地面，且其中所述第一二极管与所述第一电阻器并联连接。

3.根据权利要求1所述的电路，其中，通过第二二极管、第二电阻器和第三电阻器，所述第二漏极耦合至地面，其中所述第二二极管与所述第二电阻器串联连接，以形成子电路，且其中所述子电路与所述第三电阻器并联连接。

4.根据权利要求3所述的电路，进一步包含与所述第二二极管并联连接的额外二极管。

5.根据权利要求第1所述的电路，其中，所述第一漏极与所述第二漏极各连接至第一运算放大器的输入，所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极连接至所述第一运算放大器的输出，且其中选自实质由所述第一漏极与所述第二漏极所组成的群组的节点连接至第二运算放大器的第一输入，且其中所述第三漏极连接至所述第二运算放大器的第二输入。

6.根据权利要求5所述的电路，进一步包含具有第四源极、第四漏极和第四栅极的第四PMOS装置，其中所述第四源极连接至所述第三漏极与所述第二运算放大器的第二输入，且所述第四栅极连接至所述第二运算放大器的输出。

7.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第一PMOS装置与所述第二PMOS装置相同，且其中所述第三PMOS装置的宽长比不同于所述第一PMOS装置与所述第二PMOS装置的宽/长比。

8.一种电路，包含：

第一PMOS装置，具有第一源极、第一栅极和第一漏极，其中所述第一源极耦合至供电节点；

第二PMOS装置，具有第二源极、第二栅极和第二漏极，其中所述第二源极耦合至所述供电节点；

第三PMOS装置，具有第三源极、第三栅极和第三漏极，其中所述第三源极耦合至供电节点；

第一运算放大器，具有第一输入、第二输入与输出，其中所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极连接至所述第一运算放大器的输出；

第一电阻器与第一二极管，每一个均耦合在所述第一漏极与接地之间；

第二电阻器，耦合在所述第二漏极与所述接地之间；

第三电阻器，连接至所述第二漏极；

第二二极管，耦合在所述第三电阻器与所述接地之间；

第二运算放大器，具有耦合至所述第三漏极的第一输入，与耦合至选自由所述第一漏极与所述第二漏极所组成的群组的节点的第二输入；

第四电阻器，具有耦合至所述第三漏极的第一端点，与耦合至所述接地的第二端点。

9.根据权利要求8所述的电路，进一步包含第四PMOS装置，具有连接至所述第三漏极的第四源极、连接至所述第二运算放大器的所述输出的第四栅极、以及耦合至所述第四电阻器的所述第一端点的第四漏极。

10.根据权利要求8所述的电路，其中，所述第二二极管具有比所述第一二极管更大的饱和电流。

11.根据权利要求8所述的电路，进一步包含并联至所述第二二极管的额外的二极管，其中所述第一二极管、所述第二二极管与所述额外二极管实质地相同。