[发明专利]半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法

权利要求书

1、一种半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

a、将至少一个制备好的半导体芯片的其中一面以胶着材料粘附在一载板的表面；

b、在该胶着材料于未老化或未完全老化前，将该粘附有半导体芯片的载板承置在一处理槽中；

c、将该处理槽设定在一具有预定温度及预定压力的槽室环境，并维持一预定时间；

d、使该胶着材料中的气泡或胶着材料与半导体芯片间的气泡或胶着材料与载板胶着界面间的气泡由该胶着材料的四周排出。

2、根据权利要求1所述的半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法，其特征在于，步骤c中所预定的温度介于摄氏80度至175度之间。

3、根据权利要求1所述的半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法，其特征在于，步骤c中所预定槽内压力为大于2个大气压。

4、根据权利要求1所述的半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法，其特征在于，步骤c中所预定时间大于5分钟。

5、一种半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法，其特征在于，包括下列步骤：

A、将多个制备好的半导体芯片的第一芯片其中一面以胶着材料粘附在一载板的表面；

B、在该胶着材料于未老化或未完全老化前，将该粘附有半导体芯片的载板承置在一处理槽中；

C、将该处理槽设定在一具有预定温度及预定压力的槽室环境，并维持一预定时间；

D、使该胶着材料中的气泡或胶着材料与半导体芯片间的气泡或胶着材料与载板胶着界面间的气泡由该胶着材料的四周排出；

E、将该含有半导体芯片的载板从该处理槽中取出；

F、以另一粘附有胶着材料的第二芯片迭置于该第一芯片之上，再将此半成品置入该处理槽依步骤B、C与D执行消除气泡工艺，并于消除气泡后移出该处理槽；

G、多颗迭置芯片即可依如上程序执行步骤F。

6、根据权利要求5所述的半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法，其特征在于，步骤C中所预定温度系介于摄氏80度至175度之间。

7、根据权利要求5所述的半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法，其特征在于，步骤C中所预定槽内压力为大于2个大气压。

8、根据权利要求5所述的半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法，其特征在于，步骤C中所预定时间大于5分钟。

9、根据权利要求5所述的半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法，其特征在于，步骤E之后进一步包括有半导体工艺的打线处理步骤。

10、根据权利要求5所述的半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法，其特征在于，步骤F之后进一步包括有半导体工艺的打线处理步骤。

11、根据权利要求5所述的半导体封装的芯片粘着胶层气泡排除方法，其特征在于，于步骤G之后进一步包含下列步骤：

H、藉由合模注胶方式模压形成一封装胶体于该半导体芯片的表面；

I、将该封装胶体予以烘烤处理，使该封装胶体老化以模封该半导体芯片。