[发明专利]基板处理装置有效

专利信息
申请号: 200810083372.X 申请日: 2008-03-13
公开(公告)号: CN101271833A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 林豊秀 申请(专利权)人: 大日本网目版制造株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/306;B08B3/04;B08B3/10;B08B3/08
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 马少东;徐恕
地址: 日本京都*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用药液、纯水等处理液对半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板(以下、简称为“基板”)等的基板进行清洗等处理的基板处理装置。

背景技术

以往,作为该种装置,例如可以举出如下所述装置,该装置具有:处理槽,该处理槽用于贮存处理槽、并收容基板;喷嘴,该喷嘴用于向处理槽的上部空间供给异丙醇(IPA)气体(例如,参照JP特开平10-22257号公报(0024段、0025段、图3))。在该装置中,向处理槽供给纯水而对基板进行清洗后,向处理槽的上部空间供给IPA气体,从而形成IPA环境。然后,通过将基板向处理槽的上部提升,对基板用纯水进行清洗处理。此时,通过将基板提升移动到IPA环境,使附着在基板上的纯水被IPA取代,由此促成干燥。

但是,在具有如此结构的以往装置中,存在如下所述的问题。

即,在以往的装置中,通过将用纯水清洗过的基板从纯水提升,并向IPA环境中移动,由此能够促进干燥,但是,存在着使形成于基板表面的图案破坏的问题。换句话说,由于提升的基板表面上的纯水的表面张力,基板表面的图案被破坏。

特别是,在最近的半导体器件中的存贮领域中,作为将集成度比以往大幅提高的技术,开始采用将电容器的结构做成圆筒状的电容器。具有如此的圆筒状结构的电容器,由于其纵横比极其大,因此在制造过程中圆筒状结构的电容器部分容易受损。当然,若电容器部分受损,则作为器件而不合格,因此,降低了成品率。

因此,想到了在上述的用处理槽的纯水清洗基板后,用表面张力小的液体来替换处理槽内的纯水后,再将基板从处理槽提升而进行干燥,而由此减少图案的受损的方法,但是,不能充分置换进入到基板表面的图案细部中的纯水,纯水还是残留于原处,因此不能完全消除对形成于基板的图案的受损。

发明内容

本发明是基于上述问题而完成的,其目的在于提供一种能够防止形成于基板上的图案的受损的基板处理装置。

本发明的基板处理装置,是用处理液对基板进行处理的基板处理装置,其包括:处理槽,所述处理槽用于贮存处理液;保持机构,所述保持机构在保持基板的状态下位于所述处理槽内的处理位置;第一处理液供给装置,其用于将第一处理液供给至所述处理槽内;第二处理液供给装置,其用于将比第一处理液表面张力小、且比第一处理液沸点高的第二处理液供给至所述处理槽内;温度调节装置,其用于将所述将处理槽中的第二处理液调节在第一处理液的沸点以上且第二处理液的沸点以下的温度范围;控制装置,其对所述第二处理液供给装置进行控制,从而使从所述第一处理液供给装置供给所述处理槽内并贮存于该处理槽内的第一处理液置换为第二处理液,同时,对所述温度调节装置进行控制,由此将第二处理液的温度维持在所述温度范围内。

通过保持机构基板被放置于处理槽内的处理位置上,并通过第一处理液对处理槽内的基板进行处理。而且,控制装置对所述第二处理液供给装置进行控制,以使贮存于所述处理槽内的第一处理液置换为第二处理液,同时,对所述温度调节装置进行控制,由此将第二处理液的温度维持在第一处理液的沸点以上且第二处理液的沸点以下的温度范围内。因此,在处理槽内用第一处理液处理过的基板,成为被浸渍在调节为比第一处理液的沸点高的温度的第二处理液中的状态,残留在基板表面的第一处理液(也包括进入到基板表面的图案细部的第一处理液)被高温的第二处理液的热量气化,其气泡向处理槽的第二处理液的液面侧上升,并成为蒸汽从处理槽释放出,因此,能够完全将进入到基板表面的图案细部并残留在其中的第一处理液置换为第二处理液。而且,从处理槽将基板搬出时,无需通过表面张力大的第一处理液的界面,而仅是通过表面张力比第一处理液小的第二处理液的界面,因此,在通过第二处理液的界面时作用于基板表面的表面张力小,能够防止形成于基板上的图案的受损。另外,提升后的基板的表面上只残留表面张力低的第二处理液,对该第二处理液进行干燥时作用于基板表面上的表面张力小,因此,能够防止形成于基板上的图案的受损。

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