[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管(TFT)基板的制造方法，且更具体而言涉及用于显示装置的TFT基板的制造方法。

背景技术

显示图像的液晶显示设备通常包括具有TFT和像素电极的薄膜晶体管(TFT)基板、具有滤色器和公共电极的滤色器基板、以及置于该TFT基板和该滤色器基板之间的液晶层。

TFT基板通过使用掩模的光蚀刻工艺(photo etching process)来制造。因此，为了降低制造成本并提高生产率，可以减少使用掩模的工艺的数目。

最近已经发展出四掩模工艺(four-mask process)，其中通过该四掩模工艺使用掩模同时构图有源图案和数据布线。在四掩模工艺中，狭缝掩模或半调掩模(halftone mask)用于在光致抗蚀剂图案的表面上形成台阶部，且有源图案和数据布线通过蚀刻工艺和灰化工艺的组合被同时图案化。

然而，在四掩模工艺中，掩模的制造成本增加。此外，在四掩模工艺中，用于制造TFT基板的工艺的数目可能增加，即使光蚀刻工艺的数目可以减少。由于四掩模工艺包括欠曝光工艺(under exposure process)，均匀性会降低且会难以制造精确的设计。

发明内容

本发明的实施例提供了一种即使掩模不改变也能够减少TFT基板的制造工艺数目的薄膜晶体管(TFT)基板的制造方法。

在根据本发明示例性实施例的TFT基板制造方法中，栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层和数据金属层顺序形成于其上形成有栅极布线的基板上。光致抗蚀剂图案形成于源电极区域和漏电极区域中。使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，该数据金属层被蚀刻以形成包括源电极和漏电极的数据布线。该光致抗蚀剂图案被回流以覆盖该源电极和该漏电极之间的沟道区。使用回流的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，该欧姆接触层和半导体层被蚀刻以形成包括欧姆接触图案和半导体图案的有源图案。回流的光致抗蚀剂图案被回蚀刻以露出该沟道区内的该欧姆接触图案的一部分。使用回蚀刻的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，该欧姆接触图案被蚀刻，由此完成具有沟道的TFT。

该光致抗蚀剂图案可包括酚醛清漆(novolak)树脂或丙烯酸树脂。此外，该光致抗蚀剂图案可包括具有约1.5至约2的分散度的粘合剂。该光致抗蚀剂图案可以在约150℃至约160℃的温度范围回流。

该TFT基板的制造方法可进一步包括：剥离回蚀刻的光致抗蚀剂图案的步骤、形成覆层于其上形成有该数据布线的该基板上的步骤、以及形成电连接到该漏电极的像素电极于该覆层上的步骤。

此外，该FFT基板的制造方法可进一步包括形成存储电容器的步骤。为了形成该存储电容器，在该数据布线形成时，与该栅极布线隔开的下存储电极同时形成；以及在该数据布线形成时，与该下存储电极交叠的上存储电极同时形成。

在根据本发明另一示例性实施例的TFT基板的制造方法中，栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层顺序形成于其上形成有栅极布线和栅极金属焊垫的基板上。穿过该栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层的接触孔被形成以露出该栅极金属焊垫。数据金属层形成于具有该接触孔的该基板上。光致抗蚀剂图案形成于源电极区域、漏电极区域和焊垫区域中。使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，该数据金属层被蚀刻以形成包括源电极和该漏电极的数据布线以及直接连接到该栅极金属焊垫的数据金属焊垫。该光致抗蚀剂图案被回流以覆盖该源电极和该漏电极之间的沟道区。使用回流的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，该欧姆接触层和半导体层被蚀刻以形成包括欧姆接触图案和半导体图案的有源图案。回流的光致抗蚀剂图案被回蚀刻以露出该沟道区内的该欧姆接触图案的一部分。使用回蚀刻的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，该欧姆接触图案被蚀刻，由此完成具有沟道的TFT。

根据该TFT基板的制造方法，使用掩模制造TFT的工艺的数目可以减少。因此，制造成本可以降低且生产率可以提高。

附图说明

通过参考附图来详细描述本发明的示例性实施例，本发明实施例的上述和其他特征将更显而易见。

图1为说明根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管(TFT)基板的平面图。

图2为图1所示的TFT、存储电容器和焊垫(pad)的剖面图。

图3为说明根据本发明另一示例性实施例的TFT基板的剖面图。

图4至图11为说明图1和2所示TFT的制造工艺的剖面图。

图12至图20为说明图3所示TFT基板的制造工艺的剖面图。

具体实施方式