[发明专利]发光二极管封装结构与其制造方法无效
| 申请号： | 200810082768.2 | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101533784A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡志嘉;张正宜;林明魁 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L25/075;H01L33/00;H01L23/29;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁 挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾省台北县土*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 与其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，至少包含：
进行一加热步骤，以将一第一透明胶材加热成一稠状物；
进行一接合步骤，以将该稠状物与一导线架接合；
进行一固晶步骤，以利用一透明固晶胶来将该至少一透明发光二极管芯片固定于该稠状物的表面；
进行一打线步骤，以利用多数条导线来电性连接该透明发光二极管芯片与该导线架；
进行一封胶步骤，以利用一第二透明胶材来覆盖该透明发光二极管芯片；以及
进行一干燥步骤，以使该稠状物和该第二透明胶材干燥成形。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，该第一透明胶材的材质为环氧树脂或硅胶。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，该第二透明胶材的材质为环氧树脂或硅胶。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，该第一透明胶材和该第二透明胶材的材质相同。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，还包含一防焊处理步骤，该防焊处理步骤于该导线架的底部涂布防焊漆。
6.一种发光二极管的封装结构，其特征在于，至少包含：
至少一透明发光二极管芯片；
一透明基板，具有一固晶部及一环绕该固晶部的边缘部，该固晶部用以承载该透明发光二极管芯片；
一透明固晶胶，用以设置于该至少一透明发光二极管芯片及该透明基板之间；
一导线架，用以与该透明基板的该边缘部结合；
多数条导线，用以分别电性连接该发光二极管芯片和该导线架；以及
一封胶体，设置于该透明基板上，用以覆盖该至少一透明发光二极管芯片、该多数条导线、该透明固晶胶及该导线架。
7.根据权利要求6所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，该透明基板的材质为环氧树脂或硅胶。
8.根据权利要求6所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，该封胶体的材质为环氧树脂或硅胶。
9.根据权利要求6所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，该封胶体和该透明基板的材质相同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
