[发明专利]磁性和介电性复合电子器件无效
| 申请号: | 200810082707.6 | 申请日: | 2008-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN101414507A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
| 发明(设计)人: | 赵庆欢;宋政益;崔郑仁 | 申请(专利权)人: | 陶瓷科技公司 |
| 主分类号: | H01F27/40 | 分类号: | H01F27/40;H01C7/10;H01G4/40;H01G9/28;H03H1/00;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陆 弋;宋志强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁性 介电性 复合 电子器件 | ||
1.一种磁性和介电性复合电子器件,包括:
第一区域,具有多个层叠的磁性材料片;
第二区域,具有多个层叠的介电材料片;和
第三区域,作为插入所述第一区域与所述第二区域之间的中间层,包括 Zn-Ti类材料,以避免在所述第一区域和所述第二区域的共同焙烧过程中材料的 扩散,
其中,所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域整体地形成为单一体, 并且所述第三区域由包括0.5~1.0摩尔的ZnO和0.5~1.0摩尔的TiO2的粉末形 成。
2.如权利要求1所述的复合电子器件,其中,所述第三区域由单个片形成 或由具有被层叠的多个片的复合片形成。
3.如权利要求1所述的复合电子器件,其中,所述第三区域进一步包括 0.1~0.35摩尔的Bi2O3。
4.如权利要求1所述的复合电子器件,其中,所述第三区域进一步包括 0.1摩尔或少于0.1摩尔的NiO。
5.如权利要求1所述的复合电子器件,其中,所述第三区域进一步包括 0.1摩尔或小于0.1摩尔的MnCO3。
6.如权利要求1所述的复合电子器件,其中,在所述器件的外表面上形成 有接地电极对和信号电极对。
7.如权利要求1所述的复合电子器件,其中,在所述器件的外表面上形成 有接地电极对和多个信号电极。
8.如权利要求1所述的复合电子器件,其中,所述第一区域包括形成在所 述磁性材料片上的一种电极图样。
9.如权利要求8所述的复合电子器件,其中,在所述电极图样的一端形成 有通孔。
10.如权利要求8所述的复合电子器件,其中,所述第二区域包括至少第 一片和第二片,在所述至少第一片和第二片上,所述电极图样仅向所述介电材 料片的一个侧端延伸;和第三片,在所述第三片上,所述电极图样向所述介电 材料片的两个侧端延伸。
11.如权利要求8所述的复合电子器件,其中,所述器件由如下等效电路 表示,即,变阻器与电容器位于一个电感器的一侧并引向所述器件的输入端, 而另一变阻器和另一电容器位于该电感器的另一侧并引向所述器件的输出端, 每个变阻器和每个电容器均接地。
12.如权利要求8所述的复合电子器件,其中,所述器件由如下等效电路 表示,即,一个变阻器和一个电容器位于一个电感器的一侧,并引向所述器件 的输入端或者引向所述器件的输出端,所述变阻器和所述电容器均接地。
13.如权利要求1所述的复合电子器件,其中,所述第一区域包括在所述 磁性材料片上相互独立形成的多个电极图样。
14.如权利要求13所述的复合电子器件,其中,在所述多个电极图样中的 每个电极图样的一端形成有通孔。
15.如权利要求13所述的复合电子器件,其中,所述第二区域包括至少第 一片和第二片,在所述至少第一片和第二片上,所述多个电极图样分别仅向所 述介电材料片的一个侧端延伸;和第三片,在所述第三片上,所述多个电极图 样分别向所述介电材料片的两个侧端延伸。
16.如权利要求13所述的复合电子器件,其中,所述器件由如下等效电路 表示,即,多个L-C-V电路并联排列,在每个L-C-V电路中,变阻器和电容器 位于一个电感器的一侧并引向所述器件的输入端,而另一变阻器和另一电容器 位于该电感器的另一侧并引向所述器件的输出端,每个变阻器和每个电容器均 接地。
17.如权利要求13所述的复合电子器件,其中,所述器件由如下等效电路 表示,即,多个L-C-V电路并联排列,在每个L-C-V电路中,一个变阻器和一 个电容器位于一个电感器的一侧,并引向所述器件的输入端或所述器件的输出 端,所述变阻器和所述电容器均接地。
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