[发明专利]应用于超薄晶片背面处理工艺的方法和装置

权利要求书

1.一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

将环和晶片安装到带上，晶片正面黏附到该带上并且晶片安装在该环内；

研磨晶片背面；

当晶片由所述带和环形成的支撑结构支撑时处理晶片的背面；

在所述处理工艺步骤之后进行晶片切割。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述晶片背面处理工艺包括从由离子注入，退火，刻蚀，溅射和蒸发组成的组合中选择的处理工艺。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括晶片背面处理工艺步骤之前在真空腔中对所述带进行退火。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在切割步骤之后拾取芯片。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括将切割后的晶片器件面朝上地转移到另一个带上并拾取芯片。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括安装步骤之前在分离带上部分研磨晶片。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述环由环形结构的环构成。

8.一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

将晶片背面研磨到期望的厚度；

在研磨步骤之后将研磨后晶片的正面和环安装到带上；

在安装步骤之后处理晶片背面；和

在处理步骤之后切割晶片。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，其中所述晶片背面处理工艺包括从由离子注入，退火，刻蚀，溅射和蒸发组成的组合中选择的处理工艺。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括晶片背面处理步骤前在真空腔中对所述带进行退火。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在切割步骤之后拾取芯片。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在切割步骤之后将切割后的晶片器件面朝上地转移到另一个带上并且拾取芯片。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，其中所述环由环形结构的环构成。

14.一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

将环和晶片安装到带上，晶片正面黏附到该带上；

在安装步骤之后研磨晶片背面；

在研磨步骤之后处理晶片背面；

将处理后的晶片转移到分离的切割带上，并且将晶片的背面黏附到该带上；

切割晶片。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中所述晶片背面处理工艺包括从由离子注入，退火，刻蚀，溅射和蒸发组成的组合中选择的处理工艺。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在安装步骤之前部分研磨位于分离带上的晶片。

17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括背面处理步骤之前在真空腔中对所述带进行退火。

18.如权利要求14所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在切割步骤之后拾取芯片。

19.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中所述环由环形结构的环构成。

20.一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

将晶片背面研磨到期望的厚度；

在研磨步骤之后将研磨后晶片的正面和环安装到带上；

在安装步骤之后处理晶片背面；

在处理步骤之后将处理后的晶片转移到分离带上，并且将晶片的背面黏附到该带上；和

切割晶片。

21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，其中所述晶片背面处理工艺包括从由离子注入，退火，刻蚀，溅射和蒸发组成的组合中选择的处理工艺。

22.如权利要求20所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括背面处理工艺步骤之前在真空腔中对带进行退火。