[发明专利]有源矩阵有机电致发光显示器及其驱动方法

说明书

本申请要求于2007年2月27日提交到韩国知识产权局的第10-2007-0019922号韩国专利申请的优先权，其公开完整地包含于此，以资参考。

技术领域

本发明总体构思涉及一种显示器，更具体地讲，涉及一种包括用于提供零数据电压的电路的有源矩阵有机电致发光显示器(AMOLED)以及使用其写入零数据的方法。

背景技术

液晶显示器(LCD)较薄并且功耗较低。然而，LCD不发光，因此需要背光。

为了弥补LCD的缺点，有机电致发光(EL)显示器得到公众的关注。有机电致发光显示器通过激发有机磷光体来发光，因此不需要单独的光源。

因此，有机电致发光显示器较薄并且能够以低电压来驱动，并且被公认为是能够在多种电子装置(如移动通信终端、可携式摄像机等)中使用的强大的下一代显示器。

有机电致发光显示器可分为无源矩阵型和有源矩阵型。无源矩阵型有机电致发光显示器具有简单的结构和制造工艺，但是由于随着布线数量的增加导致其开口率劣化而具有低的显示能力。同时，有源矩阵型有机电致发光显示器具有高的发光效率和高的分辨率。

图1是示出传统的有机电致发光显示器的单元像素电路PIX的电路图。

参照图1，单元像素电路PIX包括扫描线S和数据线D之间的开关晶体管M1、电容器C、电流驱动晶体管M4以及有机电致发光器件OLED。开关晶体管M1的栅极连接到扫描线S，开关晶体管M1的源极连接到数据线D。电容器C的一端连接到开关晶体管M1的漏极，另一端连接到地GND。电流驱动晶体管M4的漏极连接到驱动电压VDD施加到的有机电致发光器件OLED的阴极，电流驱动晶体管M4的栅极连接到开关晶体管M1的漏极，电流驱动晶体管M4的源极连接到地GND。

图2是示出图1的单元像素电路PIX的操作的时序图。

参照图1和图2，当将第一电压VGH施加到扫描线S时，开关晶体管M1导通。当开关晶体管M1导通时，电荷通过施加到数据线D的数据电压Vdata积聚在电容器C中。

然后，当将第二电压VGL施加到扫描线S时，开关晶体管M1截止，电容器C保持积聚的电荷。根据电容器C中充电的电压和驱动电压VDD之间的差来确定流过电流驱动晶体管M4的电流。

有机电致发光器件OLED相应于流过电流驱动晶体管M4的电流而发光。也就是说，有机电致发光器件OLED发射的光的量由与根据像素数据(图像数据)的电压相应的电流来确定。

然而，当通过施加到如图1的单元像素电路PIX所示的数据线D的电压直接对电容器C充电时，由于薄膜晶体管(TFT)的特性偏差(即，TFT的迁移率和阈值电压的偏差)导致有机电致发光显示器在开发和批量生产方面出现问题。这是因为，尽管将相同的电压施加到每条数据线D，但流过电流驱动晶体管M4的电流由于TFT的特性的不同而不同。

由于TFT的特性的不同，因此在屏幕上出现不均匀性(mura)现象。为了减少TFT的特性偏差，已经开发了使用电流吸收(current sink)方法的有机电致发光显示器。在下文中，有源矩阵型有机电致发光显示器将被称为AMOLED。

图3是示出使用电流吸收方法的AMOLED 300的单元像素电路PIX的电路图。

参照图3，单元像素电路PIX位于扫描线S和数据线D之间，并且包括开关晶体管M1和M2、电容器C、充电晶体管M3、电流驱动晶体管M4以及有机电致发光器件OLED。在图3中，每个晶体管都是PMOS晶体管。

当扫描线S激活时，开关晶体管M1和M2导通。当开关晶体管M1和M2导通时，等于根据相应数据吸收的电流Idata的电流流过充电晶体管M3。通过由虚线指示的驱动器DRIV的电流数字模拟转换器(DAC)(未示出)根据相应数据来吸收电流Idata。当充电晶体管M3激活时，电容器C充有充电晶体管M3的栅极偏置电压。

当扫描线S去激活时，开关晶体管M1和M2截止，并且保持电容器C中积聚的电荷。这里，流到电流驱动晶体管M4的电流与电容器电压Vc成比例。换句话说，与驱动电压VDD和节点A的电压之间的差成比例的电流被提供给有机电致发光器件OLED。与图1中的有机电致发光显示器相同，根据流过电流驱动晶体管M4的电流来确定从有机电致发光器件OLED发射的光的量。