[发明专利]电压倍增电路无效
| 申请号： | 200810082496.6 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101527160A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 赵文贤 | 申请（专利权）人： | 盛群半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C7/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 倍增 电路 | ||
1、一种电压倍增电路，其包括：
电压检测单元；
振荡单元，其与该电压检测单元相接；
反向单元，其与该电压检测单元相接；
第一开关元件，其与该反向单元相接；
第二开关元件，其与该反向单元相接；
第三开关元件，其与该第一开关元件及该二开关元件相接；
第四开关元件，其与该振荡单元及该第三开关元件相接；以及
第五开关元件，其与该第三开关元件及该四开关元件相接。
2、如权利要求1所述的电压倍增电路，其中，该电压检测单元在接收第一信号后产生第二信号。
3、如权利要求1所述的电压倍增电路，其中，该振荡单元在接收第二信号后产生第三信号。
4、如权利要求1所述的电压倍增电路，其中，该第一开关元件、该第四开关元件以及该第五开关元件为N型金属氧化半导体场效应开关元件。
5、如权利要求4所述的电压倍增电路，其中，该第二开关元件以及该第三开关元件为P型金属氧化半导体场效应开关元件。
6、如权利要求5所述的电压倍增电路，其中，该第一开关元件的发射极接地。
7、如权利要求5所述的电压倍增电路，其中，该第三开关元件的发射极接于一电压。
8、如权利要求1所述的电压倍增电路，还包含第六开关元件，其与该第五开关元件相接。
9、如权利要求8所述的电压倍增电路，其中，该第六开关元件的发射极与基极接于一电压。
10、如权利要求8所述的电压倍增电路，其中，该第六开关元件为N型金属氧化半导体场效应开关元件。
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