[发明专利]电压至电流转换电路无效
| 申请号： | 200810082493.2 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101526827A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 王钰钿;黄彦凯 | 申请（专利权）人： | 盛群半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 电流 转换 电路 | ||
【权利要求书】：
1、一种电压至电流转换电路，其包括：
高电压工艺N型金属半导体场效应晶体管；
低电压工艺N型金属半导体场效应晶体管，其漏极与所述高电压工艺N 型金属半导体场效应晶体管的源极相接；
低电压工艺放大器，其具有正输入端、负输入端以及输出端，其中所述 输出端与所述低电压工艺N型金属半导体场效应晶体管的栅极相接，输入电 压输入所述正输入端以及所述负输入端与所述低电压工艺N型金属半导体 场效应晶体管的源极相接以产生输出电压；以及
电阻，其一端与所述低电压工艺N型金属半导体场效应晶体管的源极相 接，另一端接地。
2、如权利要求第1所述的电压至电流转换电路，还包含：电容，与所 述电阻并联。
3、如权利要求第1所述的电压至电流转换电路，还包含钳位电压输入 至所述高电压工艺N型金属半导体场效应晶体管的栅极。
4、如权利要求第1所述的电压至电流转换电路，其中，所述输入电压 与所述输出电压相等。
5、如权利要求第4所述的电压至电流转换电路，其中，输入所述高电 压工艺N型金属半导体场效应晶体管的漏极的输入电流等于所述输出电压 除以所述电阻。
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