[发明专利]闪存数据写入方法及其控制器无效

专利信息
申请号: 200810082120.5 申请日: 2008-03-03
公开(公告)号: CN101527169A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 朱健华;叶志刚;苏建友;张瑞贤 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/08;G06F12/02;G11C7/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 闪存 数据 写入 方法 及其 控制器
【权利要求书】:

1.一种数据写入方法,其适用于一闪存,数据写入方法包括:

从该闪存的一备用区中提取一区块作为一替换区块,用以替换一数据区中欲写入新数据的一数据区块;以及

从该替换区块的开始页直接写入该新数据,

其中在该数据区块中欲写入该新数据的地址之前具有有效数据。

2.如权利要求1所述的数据写入方法,还包括将在该数据区块中欲写入该新数据的地址之后的有效数据接续在该新数据之后写入至该替换区块。

3.如权利要求2所述的数据写入方法,还包括将在该数据区块中欲写入该新数据的地址之前的有效数据接续在该数据区块中欲写入该新数据的地址之后的有效数据之后写入至该替换区块。

4.如权利要求1所述的数据写入方法,还包括将在该数据区块中欲写入该新数据的地址之前的有效数据接续在该新数据之后写入至该替换区块。

5.如权利要求1所述的数据写入方法,还包括记录该开始页所记录的新数据对映的一逻辑地址。

6.如权利要求5所述的数据写入方法,其中记录该逻辑地址是记录在一逻辑实体区块对映表中。

7.一种闪存控制器,其适用于具有至少一个闪存的一储存装置,该闪存控制器包括:

一微处理单元,用以操作该闪存;

一闪存接口,电性连接至该微处理单元并且用以存取该闪存;

一缓冲存储器,电性连接至该微处理单元并且用以暂时地储存数据;以及

一内存管理模块,电性连接至该微处理单元并且用以管理该闪存,

其中该内存管理模块会从该闪存的一备用区中提取一区块作为一替换区块,用以替换一数据区中欲写入新数据的一数据区块,

其中该内存管理模块会从该替换区块的开始页直接写入该新数据,

其中在该数据区块中欲写入该新数据的地址之前具有有效数据。

8.如权利要求7所述的闪存控制器,其中该内存管理模块会将在该数据区块中欲写入该新数据的地址之后的有效数据接续在该新数据之后写入至该替换区块。

9.如权利要求8所述的闪存控制器,其中该内存管理模块会将在该数据区块中欲写入该新数据的地址之前的有效数据接续在该数据区块中欲写入该新数据的地址之后的有效数据之后写入至该替换区块。

10.如权利要求7所述的闪存控制器,其中该内存管理模块会将在该数据区块中欲写入该新数据的地址之前的有效数据接续在该新数据之后写入至该替换区块。

11.如权利要求7所述的闪存控制器,其中该闪存为一SLC NAND闪存或一MLC NAND闪存。

12.如权利要求7所述的闪存控制器,其中该储存装置为一USB随身盘、一快闪存储卡或一固态硬盘。

13.如权利要求7所述的闪存控制器,其中该内存管理模块会记录该开始页所记录新数据对映的一逻辑地址。

14.如权利要求13所述的闪存控制器,其中该内存管理模块是在一逻辑实体区块对映表中记录该逻辑地址。

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