[发明专利]微晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810082070.0 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101527319A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡政儒;陈柏求;时定康;黄俊杰;叶永辉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微晶硅 薄膜晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种微晶硅薄膜晶体管结构，其特征在于，所述的微晶硅薄膜晶体管结构包括：
一基板；
一微晶硅层，位于所述的基板上方；
一对具第一导电性掺质微晶硅层，位于所述的微晶硅层上方；
一对源极/漏极电极，分别位于一所述的具第一导电性掺质微晶硅层上；
一绝缘层，位于所述的这对源极/漏极电极上方；及
一上栅极电极，位于所述的这对源极/漏极电极之间的所述的绝缘层上方；
其中所述的这对具第一导电性掺质微晶硅层之间所述的微晶硅层与所述的绝缘层接口具有一通道区。
2.如权利要求1所述的微晶硅薄膜晶体管结构，其特征在于，所述的微晶硅薄膜晶体管结构更包含一缓冲层介于所述的微晶硅层与所述的基板之间。
3.如权利要求1所述的微晶硅薄膜晶体管结构，其特征在于，所述的基板包含金属基板、玻璃基板或塑料基板。
4.如权利要求1所述的微晶硅薄膜晶体管结构，其特征在于，所述的具第一导电性掺质微晶硅层是一n+型掺质微晶硅层或一p+型掺质微晶硅层。
5.如权利要求1所述的微晶硅薄膜晶体管结构，其特征在于，所述的绝缘层包含氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
6.如权利要求1所述的微晶硅薄膜晶体管结构，其特征在于，所述的这对源极/漏极电极为金属电极。
7.如权利要求1所述的微晶硅薄膜晶体管结构，其特征在于，所述的上栅极电极为金属栅极。
8.如权利要求1所述的微晶硅薄膜晶体管结构，其特征在于，所述的微晶硅薄膜晶体管结构更包含一缓冲层位于所述的基板上方及一下栅极电极位于所述的缓冲层与所述的基板之间并对应所述的上栅极电极。
9.如权利要求8所述的微晶硅薄膜晶体管结构，其特征在于，所述的上栅极电极及所述的下栅极电极为金属电极。
10.一种微晶硅薄膜晶体管的制造方法，所述的方法包括：
提供一基板；
形成一微晶硅层于所述的基板上方；
形成一对具第一导电性掺质微晶硅层于所述的微晶硅层上方；
形成一对源极/漏极电极分别于一所述的具第一导电性掺质微晶硅层上；
形成一绝缘层于所述的这对源极/漏极电极上方；及
形成一上栅极电极于所述的这对源极/漏极电极之间的所述的绝缘层上方。
11.如权利要求10所述的微晶硅薄膜晶体管的制造方法，其中在所述的微晶硅层形成之前更包含形成一下栅极电极于所述的基板上。
12.如权利要求10所述的微晶硅薄膜晶体管的制造方法，其中在所述的微晶硅层形成之前更包含形成一缓冲层于所述的基板上。
13.如权利要求12所述的微晶硅薄膜晶体管的制造方法，其中在所述的下栅极电极形成之后，接着形成一缓冲层于所述的下栅极电极上方。
14.如权利要求10所述的微晶硅薄膜晶体管的制造方法，其中所述的这对具第一导电性掺质微晶硅层为n+型掺质微晶硅层或p+型掺质微晶硅层。
15.如权利要求14所述的微晶硅薄膜晶体管的制造方法，其中在形成所述的这对具第一导电性掺质微晶硅层的制造工艺中加入PH3气体或B2H6气体。
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