[发明专利]半导体装置及其制作方法有效
| 申请号： | 200810081784.X | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101533826A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 张睿钧;陈瑛政 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/482;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，所述的半导体装置包括：
一基底；
一埋层，形成于所述的基底内，其中所述的埋层包含一绝缘区；
一深沟渠接触结构，形成于所述的基底内，其中所述的深沟渠接触结构包含一导电材料及一衬垫层，其中所述的衬垫层形成于所述的导电材料的侧壁上，且所述的导电材料与所述的基底电性连接；以及
一掺杂区，形成于所述深沟渠接触结构及所述基底之间，其中所述深沟渠接触结构的导电材料延伸至所述掺杂区，所述衬垫层延伸至所述埋层的绝缘区，所述衬垫层与所述埋层的绝缘区相连并覆盖所述导电材料的侧壁，以形成用于隔绝组件的隔离结构。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述的导电材料包含掺杂的多晶硅。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述的埋层更包含一导体区。
4.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：
提供一基底，其具有一埋层位于其中，其中所述的埋层包含一绝缘区；
于所述的基底内形成一深沟渠接触结构，其中所述的深沟渠接触结构包含一导电材料及一衬垫层，其中所述的衬垫层形成于所述的导电材料的侧壁上，且所述的导电材料与所述的基底电性连接；以及
形成一掺杂区于所述深沟渠接触结构及所述基底之间，其中所述深沟渠接触结构的导电材料延伸至所述掺杂区，所述衬垫层延伸至所述埋层的绝缘区，所述衬垫层与所述埋层的绝缘区相连并覆盖所述导电材料的侧壁，以形成用于隔绝组件的隔离结构。
5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述的半导体装置的制造方法更包括于所述的深沟渠接触结构及所述的基底之间形成 所述的掺杂区。
6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述的埋层更包含一导体区。
7.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述的深沟渠接触结构的制造方法包括下列步骤：
于所述的基底内形成一第一深沟渠以暴露所述的埋层；
于所述的第一深沟渠的侧壁上形成所述的衬垫层；
于所述的埋层内形成一第二深沟渠，其中所述的第二深沟渠位于所述的第一深沟渠的下方，且所述的第二深沟渠与所述的第一深沟渠连通；以及
形成所述的导电材料，以填充所述的第一深沟渠及所述的第二深沟渠。
8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述的第一深沟渠暴露所述的绝缘区。
9.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述的埋层更包含一导体区。
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