[发明专利]有源元件阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源元件阵列基板的制造方法，包括：

提供一基板与一多重穿透式光掩模；

于该基板上形成一第一金属材料层；

于该第一金属材料层上形成一栅绝缘材料层；

于该栅绝缘材料层上形成一沟道材料层；

于该沟道材料层上形成一第二金属材料层；

于该第二金属材料层上形成一第一光阻层，并借由该多重穿透式光掩模对该第一光阻层进行图案化，以形成一第一图案化光阻层，其中该第一图案化光阻层具有一凹陷图案，且部分的该第二金属材料层暴露于该第一图案化光阻层外；

以该第一图案化光阻层为罩幕进行一第一移除工艺，以移除未被该第一图案化光阻层覆盖的该第二金属材料层、该沟道材料层、该栅绝缘材料层与该第一金属材料层，进而形成一栅极、一栅绝缘层与一沟道层；

进行一第二移除工艺，以移除该第一图案化光阻层的凹陷图案以及对应该凹陷图案下方的该第二金属材料层，进而形成一源极以及一漏极，并暴露出部分的该沟道层；

移除该第一图案化光阻层；

于该基板上形成一保护层，以覆盖部分的该基板、该源极以及该漏极与部分的该沟道层；

于该保护层上形成一第二图案化光阻层，其中对应于该源极以及该漏极上方的该保护层暴露于该第二图案化光阻层外；

以该第二图案化光阻层为罩幕进行一第三移除工艺，以移除部分的该保护层，并形成多个接触窗开口，以暴露出该源极以及该漏极；

于该保护层上形成一像素电极材料层，以覆盖该第二图案化光阻层与暴露出的该源极以及该漏极；以及

剥离该第二图案化光阻层，以移除位于该第二图案化光阻层上的该像素电极材料层，以形成一像素电极。

2.如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，该多重穿透式光掩模包括半调式光掩模。

3.如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，该第一移除工艺还包括对该第一金属材料层过度蚀刻，以于该栅极的侧缘形成一侧蚀凹陷。

4.如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成该栅极时，还包括一并形成一共用配线以及一扫描线，且该扫描线与该栅极电性连接。

5.如权利要求4所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成该源极以及该漏极时，还包括在该共用配线上方一并形成一储存电容电极。

6.如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成该栅极时，还包括一并形成多个第一子数据线段。

7.如权利要求6所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，在该保护层上形成该像素电极时，还包括沿着该些第一子数据线段的延伸方向一并形成多个第二子数据线段，该些第二子数据线段其中之一经由对应的该接触窗开口电性连接至该源极，且该些第二子数据线段与该些第一子数据线段电性连接以形成一数据线。

8.如权利要求7所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，该些第二子数据线段通过该保护层部分的该些接触窗开口而电性连接于两第一子数据线段之间。

9.如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，该第一移除工艺包括湿蚀刻工艺。

10.如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，该第二移除工艺包括干蚀刻工艺。

11.如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成该沟道材料层之后，还包括于该沟道材料层上形成一欧姆接触材料层。

12.如权利要求11所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，该第二移除工艺还包括移除部分的该欧姆接触材料层，以形成一欧姆接触层。